中國粉體網(wǎng)訊  12月下旬，天合光能連續(xù)公布了多條新專利，涉及太陽能電池及光伏組件等方面的高達(dá)6條，粉體網(wǎng)小編整理如下。

1、太陽能電池及光伏組件

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池及光伏組件。

背景技術(shù)：TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell，隧穿傳輸層鈍化接觸）利用一層超薄氧化硅和一層重?fù)诫s的多晶硅組成，用于電池背光側(cè)的鈍化，可實現(xiàn)優(yōu)異的表面鈍化和載流子的選擇性收集，提高電池的轉(zhuǎn)化效率�，F(xiàn)TOPCon電池的隧穿傳輸層鈍化技術(shù)現(xiàn)多用于電池的背光側(cè)，因為多晶硅本身存在寄生光吸收損耗，如果將TOPCon的隧穿鈍化結(jié)構(gòu)直接應(yīng)用到電池的向光側(cè)，則會影響太陽能電池對光的吸收，太陽能電池的光寄生損耗增加，會阻礙電池轉(zhuǎn)換效率的提升。因此，需研究太陽能電池向光側(cè)的鈍化技術(shù)以提高太陽能電池效率。

發(fā)明內(nèi)容：針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池及光伏組件，通過在太陽能電池的至少一面上形成局部隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，在不增加太陽能電池的光寄生損失的基礎(chǔ)上，提高太陽能電池的局部鈍化效果，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。

本發(fā)明提供了一種太陽能電池及光伏組件。所述太陽能電池包括基底，所述基底包括相對設(shè)置的第一面和第二面；所述基底的至少一面包括非金屬化區(qū)域和金屬化區(qū)域；在所述非金屬化區(qū)域依次疊層設(shè)置有第一摻雜層和減反射層；在所述金屬化區(qū)域依次疊層設(shè)置有所述第一摻雜層、隧穿傳輸層、第二摻雜層、所述減反射層和電極層，所述電極層穿過所述減反射層與所述第二摻雜層直接接觸。

2、薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)

技術(shù)領(lǐng)域：本申請屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：薄膜電池組件的性能會受到制程中表面膜成質(zhì)量的限制。組件越大，成膜面積越大，使得工藝越復(fù)雜，設(shè)備要求越高，工藝參數(shù)控制難度高，成品率較低，并且整體組件的輸出效率越低。

發(fā)明內(nèi)容：本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請?zhí)岢鲆环N薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)，電池組件的工藝限制較小，工藝難度低，降低了設(shè)備要求，成品率更高，電池組件的輸出效率更高。

薄膜電池組件包括：封裝框架；多個薄膜電池塊，封裝于封裝框架內(nèi)，薄膜電池塊包括多個子電池、正極接觸部和負(fù)極接觸部，每個薄膜電池塊內(nèi)的各子電池分別與正極接觸部和負(fù)極接觸部電連接；導(dǎo)電連接件包括多個匯流條，各薄膜電池塊的正極接觸部和負(fù)極接觸部通過多個匯流條導(dǎo)電連接。

3、太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：隨著光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，國內(nèi)外市場對太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率也提出越來越高的需求，業(yè)內(nèi)眾多廠商均在積極進(jìn)行高效電池的開發(fā)與研究。其中，表面鈍化接觸技術(shù)近年成為業(yè)內(nèi)的研究熱點，TOPCon技術(shù)是指在電池表面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層摻雜多晶硅薄層，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，能夠極大地降低金屬接觸復(fù)合電流，提升電池的開路電壓和短路電流。然而相關(guān)技術(shù)的TOPCon電池中在電池邊緣面存在大量的復(fù)合，導(dǎo)致太陽能電池的效率較低。

發(fā)明內(nèi)容：鑒于上述問題，本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)，能夠提高太陽能電池的效率。

太陽能電池，包括：基底，包括相對設(shè)置的第一表面、第二表面，以及鄰接于第一表面和第二表面之間的多個側(cè)面；摻雜導(dǎo)電層和第一鈍化膜層，依次層疊設(shè)置于第一表面，且僅覆蓋第一表面；減反射膜層，層疊設(shè)置于第一鈍化膜層上，減反射膜層覆蓋第一表面，以至少覆蓋第一鈍化膜層；鈍化接觸層，設(shè)于第二表面；以及第二鈍化膜層，層疊設(shè)置于鈍化接觸層上，第二鈍化膜層覆蓋第二表面，以至少覆蓋鈍化接觸層；其中，第二鈍化膜層還覆蓋各側(cè)面的至少部分。

4、太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)

技術(shù)領(lǐng)域：本申請涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：選擇性發(fā)射極(Selective Emitter，SE)激光摻雜技術(shù)，是在基底的表面的接觸區(qū)域擴(kuò)散而形成重?fù)诫s區(qū)域，在非接觸區(qū)域輕摻雜的技術(shù)。選擇性發(fā)射電極能夠降低接觸區(qū)域的接觸電阻，降低太陽能電池的串阻，同時輕摻雜區(qū)域能有效減少載流子復(fù)合，提高基底表面的鈍化。

在上述重?fù)诫s的過程中，若重?fù)诫s效果不佳，則會導(dǎo)致柵線與基底的接觸復(fù)合變大。若采用高能激光形成重?fù)诫s區(qū)域來改善重?fù)诫s效果，則容易導(dǎo)致基底上對應(yīng)于重?fù)诫s區(qū)域的部分破壞嚴(yán)重，使得表面缺陷增加，同時也會導(dǎo)致部分臟污顆粒通過激光擴(kuò)散至太陽能電池更深的位置，在制作柵線后，帶來更大的漏電風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種太陽能電池及其制作方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)，以在改善柵線的接觸復(fù)合的同時改善重?fù)诫s效果、降低太陽能電池的表面缺陷以及漏電風(fēng)險，提高太陽能電池的開路電壓和光電轉(zhuǎn)換效率。

本申請涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，通過在目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域上形成摻雜程度不同的目標(biāo)子區(qū)域，進(jìn)而在提高摻雜的有效性的同時降低重?fù)诫s過程對于基底的損傷，改善了太陽能電池的表面缺陷。由于與目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域?qū)��?yīng)的第一柵線，與該目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域的第一目標(biāo)子區(qū)域歐姆接觸，能夠在實現(xiàn)第一柵線與摻雜層歐姆接觸的同時改善第一柵線對應(yīng)于其他結(jié)深的目標(biāo)子區(qū)域內(nèi)的部分與摻雜層之間的接觸復(fù)合，減少了第一柵線和摻雜層的接觸面積，增加了鈍化面積。 

5、太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及--種太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：隨著光伏技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對晶體硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的要求也越來越高，但目前產(chǎn)業(yè)化太陽能電池效率的提高仍面臨著很多挑戰(zhàn)。相關(guān)技術(shù)的太陽能電池中，為了降低復(fù)合速率、延長少子壽命提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，一般會對硅基底進(jìn)行鈍化處理，在硅基底表面形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)以降低表面載流子的復(fù)合，從而減小因硅基底內(nèi)部缺陷所帶來的影響。其中，常見的鈍化接觸結(jié)構(gòu)將隧穿氧化層與重?fù)诫s的多晶硅層相結(jié)合，通過隧穿氧化層的化學(xué)鈍化作用降低硅基底與多晶硅之間的界面復(fù)合。同時隧穿氧化層也可以起到較好的隧穿作用，使得多數(shù)載流子通過隧穿原理實現(xiàn)運輸，而少數(shù)載流子則因為較高的勢壘難以隧穿通過隧穿氧化層進(jìn)入多晶硅層中被復(fù)合。然而，相關(guān)技術(shù)太陽.能電池中，常常存在鈍化接觸結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)不連續(xù)、完整性較差的問題，導(dǎo)致鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果不佳，影響了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)，能夠改善鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果，降低表面復(fù)合，提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明涉及一種太陽能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。太陽能電池包括基底和鈍化接觸結(jié)構(gòu)；鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置于基底的一個表面的第一隧穿氧化層、多晶硅摻雜導(dǎo)電層以及第二隧穿氧化層；其中，多晶硅摻雜導(dǎo)電層和第一隧穿氧化層的至少部分區(qū)域形成有多個間隔布置的孔洞，各孔洞貫穿多晶硅摻雜導(dǎo)電層，并延伸至第一隧穿氧化層中；第二隧穿氧化層至少填充各孔洞的位于第一隧穿氧化層中的部分。本發(fā)明能夠改善鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果，降低表面復(fù)合，提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

6、太陽能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)

技術(shù)領(lǐng)域：本申請涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：TOPCon電池(隧穿氧化層鈍化接觸電池)，是一種使用超薄氧化層作為鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽電池。通過超薄的隧穿氧化層和一層摻雜的多晶硅薄層，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，能夠有效降低表面復(fù)合和金屬接觸復(fù)合，為硅片的背面提供良好的表面鈍化，能夠有效地降低背面復(fù)合電流密度，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。

傳統(tǒng)TOPCon電池通過刻蝕或者激光消融使部分摻雜多晶硅層裸露，再制備電極與摻雜多晶硅層形成歐姆接觸（或稱電連接），然而刻蝕或者激光消融工藝對鈍化層及減反射層的損傷較大，對TOPCon電池的性能提升有較大的影響。

發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種減少對鈍化層及減反射層的損傷及復(fù)合，光電轉(zhuǎn)換效率較高的太陽能電池及其制備方法。

本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)。該太陽能電池包括：基底層，包括沿其厚度方向相對設(shè)置的第一表面和第二表面；隧穿氧化層、第一摻雜多晶硅層和第一鈍化層，沿逐漸遠(yuǎn)離基底層的方向依次設(shè)置于基底層的第一表面；以及第一細(xì)柵層，至少一條所述第一細(xì)柵設(shè)置于第一連接孔，所述第一連接孔的孔底位于所述第一摻雜多晶硅層中，各第一細(xì)柵穿過各自對應(yīng)的第一連接孔與第一摻雜多晶硅層電連接；在第一方向上，各第一連接孔的寬度均小于與第一連接孔對應(yīng)的第一細(xì)柵的寬度。該太陽能電池在保證良好電連接的情況下，對太陽能電池的鈍化結(jié)構(gòu)的損傷及復(fù)合較小，具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。

參考來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）

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