中國粉體網(wǎng)訊  當前，從光伏到新能源汽車，碳化硅下游市場需求旺盛，特別是隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)增長，對SiC材料的需求呈現(xiàn)出井噴式增長的態(tài)勢。隨著SiC熱度高漲，SiC產(chǎn)業(yè)6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢加速，國際方面8英寸晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國內(nèi)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟。

碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)，其中制備重難點主要是晶體生長和切割研磨拋光環(huán)節(jié)，是整個襯底生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重點與難點，成為限制碳化硅良率與產(chǎn)能提升的瓶頸，且8英寸與6英寸碳化硅晶圓的制造工藝有很大差別，也更為復雜。

縱觀國際廠商，海外大廠Wolfspeed、英飛凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產(chǎn)時間集中于2024年下半年至2026年期間。3月，Wolfspeed碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂；三菱電機預計今年4月將在日本開建新的8英寸SiC工廠，并計劃2026年投入運營；4月，韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導體生產(chǎn)設(shè)施，最快將于明年下半年開始。

回看國內(nèi)廠商，在量產(chǎn)時間上與國際大廠仍然存在一定時間差，但國內(nèi)廠商正向8英寸時代“進攻”。天科合達北京基地正在招標8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備，包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達將進一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能；天岳先進用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)，據(jù)該公司消息，其已在8英寸碳化硅襯底上具備量產(chǎn)能力；爍科晶體實現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。

此外，還有許多國內(nèi)企業(yè)如湖南三安、南砂晶圓、晶盛機電、合盛硅業(yè)等在8英寸SiC襯底、設(shè)備等領(lǐng)域取得進展突破。同光股份、乾晶半導體、超芯星、粵海金、東尼電子、天成半導體等廠商也已經(jīng)涉足8英寸SiC襯底，未來，有望誕生更多8英寸襯底材料、設(shè)備等方面的先進技術(shù)，推動國產(chǎn)化進程。

2024年4月25日，中國粉體網(wǎng)將在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導體SiC晶體生長技術(shù)交流會”，屆時，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理馬康夫將帶來《8英寸SiC單晶襯底發(fā)展淺析》的報告，馬康夫?qū)⒕C述國內(nèi)外8英寸碳化硅的發(fā)展現(xiàn)狀，并簡析8英寸碳化硅單晶襯底制備的技術(shù)難點。最后簡述山西爍科晶體有限公司8英寸碳化硅襯底的技術(shù)現(xiàn)狀，并對碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進行展望。

個人簡介

馬康夫，博士，高級工程師，現(xiàn)任中電科半導體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理。從事SiC材料研發(fā)多年，承擔及參與省部級項目10余項。獲山西省“三晉英才-青年優(yōu)秀人才”稱號，獲中國電子科技集團公司科技進步一等獎1項，三等獎1項。在國內(nèi)外發(fā)表相關(guān)研究論文10余篇，申請專利10余項。

來源：

全球半導體觀察：SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕，國內(nèi)廠商風口狂追

粉體網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除