中國粉體網(wǎng)訊 4月5日，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項名為“擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法”專利，申請公布號為CN117822097A，申請日期為2022年9月28日。
來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
該專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法，涉及碳化硅晶體技術(shù)領(lǐng)域，有效改善晶體質(zhì)量。具體方案為：于晶體生長爐內(nèi)設(shè)置擋板，該擋板的通道可改變爐體內(nèi)氣相源的運動方向，將氣相源的運動方向改變?yōu)樾毕蛏希箽庀嘣闯蜃丫У男∶孢\動。本申請實施例可提高晶體的生長速度，提高晶體的厚度和質(zhì)量，降低微管密度。另外，選用低密度石墨作為擋板的材料，當(dāng)通道被封堵后，低密度石墨內(nèi)的孔隙可以供氣體通過，能進一步降低晶體內(nèi)包裹物的含量，提高晶體質(zhì)量。
這些年，華為正在全力布局SiC產(chǎn)業(yè)。
2021年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，華為強調(diào)，未來十年是第三代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。而碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點臨近，市場潛力將被充分挖掘。
可以看出，華為自是不會放過SiC這塊“肥肉”，這些年從電驅(qū)、充電樁，到襯底、外延、器件制造，華為基本投資了一整條SiC產(chǎn)業(yè)鏈。
SiC襯底：山東天岳和北京天科合達
天岳先進
早在2019年8月，華為旗下子公司——哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司（哈勃投資），就參與了天岳先進的A輪融資。截至2022年末，哈勃投資持有上市公司股權(quán)比例為6.34%，位列天岳先進第四大股東。
天岳先進成立于2010年，是一家寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）襯底材料生產(chǎn)商。主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型SiC襯底。經(jīng)過十余年發(fā)展，公司已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術(shù)，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導(dǎo)電型SiC襯底制備技術(shù)。2023年天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。目前，在全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場，天岳先進超過高意躍居全球第二。而在半絕緣型碳化硅襯底材料市場，根據(jù)YOLE報告，截至2022年，天岳先進市場占有率連續(xù)四年保持全球前三。
天科合達
2019年10月，哈勃投資了北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：天科合達），在發(fā)行前哈勃投資為天科合達的第五大股東，持股比例為4.82%。
天科合達成立于2006年9月，是從事第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅晶片及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。據(jù)YOLE集團發(fā)布報告，2021至2022年，全球碳化硅襯底市場實現(xiàn)快速增長，在2022年全球襯底市場規(guī)模達到6.92億美元。同時，YOLE集團還對國內(nèi)碳化硅襯底的市場占有率進行評估，認(rèn)為天科合達導(dǎo)電襯底2022年在國內(nèi)占據(jù)60%左右的市場份額。
SiC外延：瀚天天成和天域半導(dǎo)體
瀚天天成
2020年12月，哈勃突擊入股瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（簡稱：瀚天天成），現(xiàn)持股比例為4.197%。
瀚天天成成立于2011年，是一家中美合資企業(yè)，主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，外延晶片月產(chǎn)能約4萬片。瀚天天成是國內(nèi)首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商，同時也是國內(nèi)少數(shù)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證（IATF 16949）的碳化硅外延生產(chǎn)商之一。根據(jù)CASA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，按外銷市場和自供市場全球出貨量統(tǒng)計（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市場占有率約為19%；按外銷市場出貨量統(tǒng)計（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市場占有率約為38%。瀚天天成的6英寸碳化硅外延晶片主要為N型外延片，廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏領(lǐng)域所需碳化硅功率器件的生產(chǎn)制造。
目前，瀚天天成已經(jīng)實現(xiàn)了國產(chǎn)更大尺寸，8英寸碳化硅外延片技術(shù)的突破并已經(jīng)獲得了客戶的正式訂單。
天域半導(dǎo)體
2021年7月，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“天域半導(dǎo)體”）獲得華為哈勃的天使輪融資。
天域半導(dǎo)體成立于2009年，坐落在中國第三代半導(dǎo)體南方重鎮(zhèn)東莞，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體SiC外延晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。同時，其也是中國第一家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949) 的碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)。2012年天域半導(dǎo)體完成了N型外延片研發(fā)；2013年又完成P型外延片的研發(fā)，并開始向客戶供應(yīng)P型碳化硅外延片；2014年公司6英寸外延片研發(fā)成功，正式向客戶供貨；2018年公司新引進生產(chǎn)線調(diào)試完成，4英寸、6英寸碳化硅外延片產(chǎn)能達到量產(chǎn)規(guī)模。
目前，天域半導(dǎo)體在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD，已實現(xiàn)4、6英寸外延片全系列產(chǎn)品的量產(chǎn)，并提前布局國內(nèi)8英寸碳化硅外延片工藝線的建設(shè)及相關(guān)工藝技術(shù)，正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。
SiC器件：東微半導(dǎo)體
2020年7月，華為哈勃投資了東微半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱東微半導(dǎo)體），華為哈勃持股4.94%。
東微半導(dǎo)體成立于2008年，是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設(shè)計公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。
SiC設(shè)備：特思迪
2022年2月，北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡稱：特思迪）獲得華為哈勃投資，持股比例達到10%。
特思迪成立于2020年，是一家專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域表面加工設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，針對半導(dǎo)體襯底材料、半導(dǎo)體器件、先進封裝、MEMS等領(lǐng)域，產(chǎn)品包括減薄機、拋光機、CMP以及貼蠟/清洗/刷洗等機器。在2023年，特思迪持續(xù)發(fā)力SiC襯底行業(yè)磨拋設(shè)備，不斷提升6英寸機臺的工藝指標(biāo)，并且開發(fā)8英寸碳化硅磨拋工藝和設(shè)備。就在2023年5月，特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期項目簽約落地北京市順義區(qū)。
SiC耗材：德智新材
2021年9月，深圳哈勃入股湖南德智新材料有限公司（簡稱“德智新材”），認(rèn)繳出資額為294.39萬元，持股比例為16.66%。
德智新材是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復(fù)合材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司致力于高制程半導(dǎo)體生產(chǎn)關(guān)鍵耗材的生產(chǎn)，擁有國內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)、設(shè)備和高水平研發(fā)團隊，是國內(nèi)頭部的SiC涂層石墨基座、SiC蝕刻環(huán)供應(yīng)商。2020年，德智新材自主設(shè)計的國內(nèi)最大化學(xué)氣相沉積設(shè)備正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，成為國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)突破國外技術(shù)壟斷的關(guān)鍵產(chǎn)品之一。
目前，德智新材半導(dǎo)體用SiC蝕刻環(huán)項目已率先在國內(nèi)實現(xiàn)了量產(chǎn)交付。產(chǎn)能方面，德智新材半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項目于2022年6月完成了主體工程建設(shè)。該項目總投資約2.5億元，主要用于半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。
來源：
電子發(fā)燒網(wǎng)、粉體網(wǎng)
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市值風(fēng)云：華為、寧德站臺，神秘客戶抬愛，擴產(chǎn)如火如荼，“碳化硅第一股”天岳先進：值得擁有嗎？
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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