中國粉體網(wǎng)訊 4月26日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會”在江蘇蘇州圓滿落幕。昨日13位專家大咖與大家分享了各自的研究成果和研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，令人受益匪淺，今天的報告同樣精彩！
洪若瑜研究員首先介紹了碳化硅特性和應(yīng)用領(lǐng)域，分析了碳化硅粉體的市場情況，并對碳化硅粉體的制備方法進(jìn)行了綜述。最后，洪若瑜研究員介紹了其所在團(tuán)隊(duì)從九十年代至今三十年來的工作情況和取得的進(jìn)展。
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福州大學(xué)洪若瑜研究員作《高純碳化硅的生產(chǎn)與應(yīng)用》報告
李輝副研究員詳細(xì)介紹了高溫溶液法生長SiC單晶的優(yōu)勢，并對中國科學(xué)院物理研究所最近在液相法生長SiC單晶的研究進(jìn)展進(jìn)行了介紹。她表示，高溫液相法有望成為繼PVT法之后制備尺寸更大、結(jié)晶質(zhì)量更高且成本更低的SiC單晶的方法。
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中國科學(xué)院物理研究所李輝副研究員線上作《液相生長碳化硅單晶研究進(jìn)展》報告
傅仁利教授介紹了先進(jìn)電子封裝中應(yīng)用的陶瓷材料及其封裝技術(shù)，重點(diǎn)介紹了陶瓷基板的流延成型工藝和金屬化技術(shù)，分析了基于陶瓷基板的微電子封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)特點(diǎn)。
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南京航空航天大學(xué)傅仁利教授作《基于陶瓷基板封裝的幾個關(guān)鍵技術(shù)》報告
近些年，SiC單晶整個產(chǎn)業(yè)鏈在不斷發(fā)展，“四高兩涂”也不斷為SiC單晶生產(chǎn)鏈提供高純原料和耗材的配備。戴煜董事長詳細(xì)介紹了第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)用“四高兩涂”碳基材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀，并分享了頂立科技研究團(tuán)隊(duì)近年來在此領(lǐng)域的研究進(jìn)展。
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湖南頂立科技股份有限公司戴煜董事長作《第三代半導(dǎo)體用“四高兩涂”材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀與展望》報告
在碳化硅晶體切割過程中，晶體切割技術(shù)與過濾技術(shù)相結(jié)合，可有效地去除切割產(chǎn)生的微小顆粒，提高切割質(zhì)量和效率。孫作青總經(jīng)理就碳化硅晶體切割過濾設(shè)備及工業(yè)自動控制系統(tǒng)、技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
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江蘇宇佳智能裝備有限公司孫作青總經(jīng)理作《碳化硅晶體切割中的高效亞微米
在線過濾技術(shù)》報告
半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種重要的半導(dǎo)體器件制造設(shè)備。紀(jì)相權(quán)副總經(jīng)理介紹了企業(yè)主營產(chǎn)品及研發(fā)實(shí)力，針對半導(dǎo)體器件用設(shè)備進(jìn)行了闡述。
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浙江晨華科技有限公司副總經(jīng)理紀(jì)相權(quán)作《半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備》報告
徐永寬副院長分別就PVT法、TSSG法、HTCVD法等碳化硅單晶生長方法的原理、特點(diǎn)、發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行介紹，分析各種生長方法面臨的問題，并從單晶生長工藝角度提出了對碳化硅單晶生長設(shè)備和關(guān)鍵原輔材料的需求，最后簡單介紹了近期的研究工作進(jìn)展。
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天津理工大學(xué)功能晶體研究院徐永寬副院長作《碳化硅單晶生長方法及面臨的挑戰(zhàn)》報告
晚宴盛況
4月25日，中國粉體網(wǎng)舉辦了答謝晚宴。晚宴現(xiàn)場高朋滿座，主辦方為各位與會專家、企業(yè)代表準(zhǔn)備了精彩的文藝表演和游戲互動節(jié)目。
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中國粉體網(wǎng)會展事業(yè)部總經(jīng)理孔德宇先生晚宴致辭
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晚宴現(xiàn)場
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文藝表演
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互動節(jié)目獲獎嘉賓合影
第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會已圓滿落幕。新國際形式下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要想加速國產(chǎn)化，就需要在多個環(huán)節(jié)、多方面協(xié)調(diào)發(fā)展。本次會議不僅為半導(dǎo)體和陶瓷行業(yè)搭建了一個有效的溝通平臺，也推動了SiC晶體生長技術(shù)的交流與合作，為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
（中國粉體網(wǎng)蘇州報道/空青）
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