中國粉體網(wǎng)訊  隨著電子元器件、電力系統(tǒng)和通訊設(shè)備等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，其小型化、集成化程度越來越高，功率密度大幅增加。

尤其是近年來基于氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的高頻率、大功率芯片得到了國家和產(chǎn)業(yè)的重點關(guān)注與廣泛應(yīng)用，為了提升內(nèi)核效能，新一代芯片架構(gòu)正朝向微縮化和3D互聯(lián)方向發(fā)展，致使芯片的功率密度大幅提高，發(fā)熱量隨之迅猛增加。

目前，“熱失效”已成為了制約5G、航空航天等精密裝備內(nèi)功率器件發(fā)展的主要瓶頸之一。

眾所周知，電子設(shè)備的散熱能力取決于其所使用的熱管理材料而非器件本身，這也就意味著要解決目前電子封裝的散熱難題，需要對既有熱管理材料進行升級迭代，并有效連接與統(tǒng)合這些部件，形成從芯片至散熱器的最優(yōu)傳熱路徑。

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所林正得研究員于2008年博士畢業(yè)于臺灣清華大學(xué)材料科系，2014年6月加入中科院寧波材料所后，圍繞著"電子封裝熱管理復(fù)合材料"開展了一系列基礎(chǔ)和應(yīng)用研究工作并取得豐碩成果，在"超低熱阻碳基熱界面材料"和"輕質(zhì)高導(dǎo)熱散熱器材料"兩個方向?qū)崿F(xiàn)了成果落地。

對于芯片熱失效難題，林正得研究員所在團隊針對熱輸運串聯(lián)系統(tǒng)的關(guān)鍵零部件進行了攻關(guān)開發(fā)，克服了復(fù)合材料中二維材料填料的“定制調(diào)控排列取向”與“強化異質(zhì)傳熱界面”兩個共性難題，研發(fā)出“超低熱阻導(dǎo)熱墊片”、“輕質(zhì)高導(dǎo)熱碳/銅散熱器”、“大尺寸納米銀導(dǎo)熱環(huán)氧膠”等系列新型熱管理材料，從而提出了面向新一代芯片架構(gòu)的綜合解決方案，實現(xiàn)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新技術(shù)與產(chǎn)品。

2024年5月29日，中國粉體網(wǎng)將在南京舉辦2024高導(dǎo)熱材料與應(yīng)用技術(shù)大會，大會組委會有幸邀請到林正得研究員為大會作題為《電子封裝熱管理復(fù)合材料》報告。屆時，林正得研究員將結(jié)合自己的研究成果對熱管理復(fù)合材料進行詳細闡述。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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