中國粉體網(wǎng)訊  近年來，小米、比亞迪、華為等企業(yè)的動作從布局新能源汽車開始深入到AMB陶瓷基板上車的技術路線，隨著SiC模塊封裝環(huán)節(jié)率先放量，AMB也進入需求爆發(fā)期。

AMB陶瓷覆銅板  來源：先藝電子

根據(jù)QY Research最新調研報告顯示，2022年全球AMB陶瓷基板市場規(guī)模大約為4.3億美元，預計2029年將達到28億美元，未來幾年年復合增長率為26%。

全球AMB陶瓷基板市場總體規(guī)模(百萬美元)&(2018-2029)

來源：QY Research

在陶瓷覆銅工藝中，AMB工藝為利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片的焊接，相較于DPC、DBC工藝，AMB陶瓷基板結合強度更高且更耐高溫，隨著高鐵、新能源汽車、光伏等領域對于電壓等級的要求逐步提升，認為未來AMB基板將逐漸成為主流，目前AMB工藝呈現(xiàn)較大增長趨勢，也是各國研究熱點。

AMB工藝進入高速發(fā)展期

從專利申請可以看出，AMB工藝發(fā)展趨勢可分為三個階段：萌芽期、第一發(fā)展階段和第二發(fā)展階段。

第一階段萌芽期：1970~1980年，申請量較少。

第二階段第一發(fā)展期：1981~2004年，AMB工藝全球申請大幅增加，1991年達到第一個頂峰。因為氮化鋁、氮化硅、碳化硅陶瓷基板的大量開發(fā)推動與之更適配的AMB覆銅工藝快速發(fā)展。

第三階段第二發(fā)展期：2005年至今。隨著電動車、電力機車以及半導體照明、航空航天、衛(wèi)星通信的高速發(fā)展階段對半導體芯片的載體提出更高的要求，促進性能更優(yōu)的AMB工藝再次進入高速發(fā)展期。

陶瓷基板AMB覆銅工藝全球申請趨勢

各廠商“亮”技

從生產(chǎn)商來說，全球范圍內，AMB陶瓷基板核心廠商主要包括羅杰斯、電化Denka、富樂華、比亞迪、Kyocera、東芝材料和賀利氏電子等等。

東芝

東芝AMB工藝技術發(fā)展路線圖

在焊料方面，主要是在Ag-Cu-Ti基礎焊料組成基礎上添加Sn、In降低熔點，添加碳調節(jié)焊料流動性和接合層硬度、熱膨脹系數(shù)，添加第Ⅷ族過渡金屬如Co、Pd等，抑制了妨礙潤濕性（接合性）的反應生成物的過剩生成，添加Ti的化合物如氫化物、氧化物、氮化物等調節(jié)焊料性能，不加銀使得接合層生成多種配比的Cu-Sn合金及Cu-In合金緩解熱應力。

在基板方面，2010年提出在氮化鋁晶粒的晶界處包含小尺寸稀土元素和鋁的復合氧化物晶粒并限定晶粒尺寸，獲得導熱系數(shù)為160~190W/（m·K）的氮化鋁基板，即使不進行研磨，也能夠獲得超過500MPa的抗彎強度并提供具有優(yōu)異的接合強度（24kN/m）的電路基板。2012年提出在氧化鋁中加入低于0.5wt% 的鈉、硅、鐵的無機氧化物作為燒結助劑，使燒結性提高、燒結時間縮短從而大幅度降低成本，另外還能提高接合強度。

在銅板方面，提出了限定銅板表面和內部晶粒尺寸以及銅板、陶瓷板的厚度比，通過控制銅板表面晶粒尺寸獲得了良好的潤濕性、結合強度、耐冷熱循環(huán)性能（TCT）、對位精度和可靠性，通過控制內部晶粒尺寸能夠使銅電路更精細化，TCT、結合強度、彎曲強度提高。

在結構方面，其對接合層端部結構進行了深入研究，在2010年提出控制接合層突出部和非突出部中相分布差異實現(xiàn)減少熱膨脹差、緩和應力、減少結合缺陷、提高TCT的目標；隨后提出進一步控制接合層突出部露出量、攀上量和金屬板界面內角提升對位精度，緩和應力，提高TCT；還對接合層顆粒、Ti元素分布進行控制，改善潤濕、提高結合強度。其他方面，其通過使金屬被膜覆蓋金屬板的側面和接合突出部提高散熱、TCT性能；通過控制表、背面金屬層厚度關系抑制基板翹曲。

在工藝方面，其采用連續(xù)爐控制升溫、冷卻速度和氣氛，提高了產(chǎn)能和結合質量。

羅杰斯

羅杰斯是全球高頻覆銅板龍頭供應商，對于陶瓷基片結合面的結構是羅杰斯最早專注的改進對象。

羅杰斯公司AMB工藝的專利技術路線

在焊料方面，羅杰斯在2016年提出通過軋制將活性金屬焊料包覆在金屬層上，將焊劑層的厚度減小到小于12μm，尤其減小到小于7μm，極大提高了復合材料承受機械負荷以及熱負荷的能力并且成本便宜，此外該方法能夠整面地覆蓋焊劑帶。2018年，提出無銀焊料，實現(xiàn)降低成本并且避免銀遷移。

在工藝方面，羅杰斯采用AMB工藝替代DBC工藝進行上表面金屬層鍵合從而簡化后續(xù)刻蝕減薄、通過在銅板上設置凹部使之與陶瓷基片選擇性結合，然后在未結合部位斷裂基片從而高效地實現(xiàn)具有側向凸出于陶瓷層的金屬層的基板、通過借助于熱等靜壓將金屬子層連結到陶瓷元件上構成金屬陶瓷基板，將金屬成功地、盡可能無氣孔地、節(jié)省能量且工藝安全地連結到陶瓷上，即從結合工藝優(yōu)化、制備流程優(yōu)化到加壓容器優(yōu)化方面實現(xiàn)工藝過程的改進。

在基板方面，在2013年提出了通過優(yōu)化氧化鋁基板組成和晶粒尺寸改進熱導率，陶瓷層具有大于25W/mK的熱導率，因此可根據(jù)應用情況將金屬化層的層厚度減小至0.05mm；并通過增加二氧化鋯的四角形晶體結構和從陶瓷中析出玻璃相帶來熱導性的改進。

在銅板方面，2018年其提出將兩層具有不同晶粒尺寸的銅層層疊起來作為銅層可以有效減少熱應力，提高覆銅基板的耐冷熱循環(huán)性能。

富樂華

富樂華半導體由上海申和投資有限公司控股（上海申和投資有限公司是日本磁性流體技術控股有限公司Ferrotec的全資子公司），專業(yè)從事半導體功率模塊覆銅陶瓷基板（AMB、DCB 和 DPC）研發(fā)、制造、銷售。富樂華最早期的專利是通過轉讓獲得的其控股公司在華相關有效專利。

通過不斷改進，2022年富樂華提出了在陶瓷基板表面制備鋁金屬化層并通過陽極氧化獲得氧化層，然后再進行后續(xù)AMB工藝的方法，獲得了CuAl陽極氧化層-陶瓷-Al陽極氧化層的結構，在傳統(tǒng)的覆銅陶瓷基板基礎上引入高強度鍵合的絕緣鋁陽極氧化層，提高了產(chǎn)品的高壓絕緣可靠性。

在焊料方面，AMB焊料中Ag-Cu-Ti基為主流，其中Ti，Zr，Hf，V，Nb和Ta形成與陶瓷基板的良好潤濕、反應性，提供結合強度的基礎。在此基礎上，根據(jù)

此外，隨著性能發(fā)展達到一定高點開始尋求低成本焊料，發(fā)展出降低稀有金屬，Cu-7P-15Sn-10Ni（熔點580℃），Sn-Cu（230℃）和Sn-0.7Cu-P-0.03Ni（220℃）基無銀釬料，并在此基礎上進行多類型粉末混合、粒徑分布設計和焊料多層結構設計，同時實現(xiàn)較好結合強度、耐熱循環(huán)性能。

小結

從國內外申請人專利申請量排名看，日本在陶瓷基板AMB覆銅工藝研究方面實力強勁，且體現(xiàn)了高度的技術集中，具有多家頭部企業(yè)。國內起步較晚，目前呈現(xiàn)出小而散的局勢，但處于快速的追趕階段，在市場和政策的多重驅動下，通過專利讓、收購、產(chǎn)學研結合呈現(xiàn)出快速發(fā)展的勁頭，進一步加大投入增強創(chuàng)新勢在必行。

AMB覆銅陶瓷基板關注的核心問題是結合強度和耐冷熱循環(huán)性能，焊料成分、配比、接合溫度、時間、預處理工藝、結構設計等影響界面潤濕（空洞）、反應（脆性金屬間化合物、反應層結構）和殘余應力（端面形狀、元素分布、熱膨脹系數(shù)匹配），進而決定最終界面結合強度、耐熱循環(huán)（TCT）、導熱/散熱性能等。整體上看，國外專利尤其是日本專利技術細節(jié)介紹比較詳細。國內在核心的焊料、工藝參數(shù)方面研究較為薄弱，未來還需要進一步圍繞焊料等關鍵技術進行突破。

來源：

崔皎潔等：陶瓷基板AMB覆銅技術專利現(xiàn)狀

QY Research 

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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