中國粉體網訊  5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力。此批次晶體呈現(xiàn)出微凸的形貌，表面光滑無明顯缺陷。

中心厚度超過80mm，最低厚度超62mm的6英寸碳化硅單晶

據(jù)介紹，科友半導體基于自研電阻爐，通過借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢，將兩種制備方法的優(yōu)勢成功結合到一起。大厚度晶體的成功制備標志著科友半導體突破了大厚度碳化硅單晶生長的關鍵技術難題，向大尺寸碳化硅襯底低成本量產邁出了堅實一步，進一步彰顯出電阻加熱式長晶爐在替代傳統(tǒng)感應爐、推動襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。

同時，科友半導體基于先進的熱場設計實現(xiàn)了適宜的溫度梯度，有效削弱了生長室內的軸向溫度梯度與徑向溫度梯度之間的耦合效應，實現(xiàn)了均勻溫場條件下的軸向溫度梯度改善，獲得了平微凸形貌的單晶生長，大幅減少了單晶內部應力以及因應力引起的缺陷增殖。

（中國粉體網編輯整理/空青）

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