国产在线 | 日韩,疯狂做受xxxx高潮不断,影音先锋女人aa鲁色资源,欧美丰满熟妇xxxx性大屁股

支持50萬元!2024年贛州科技計劃項目涉及高純納米氧化鈰拋光粉


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  贛州科技局發(fā)布關(guān)于組織申報2024年度贛州市科技計劃項目(第一批)的通知。申報指南涉及芯片拋光用超高純納米氧化鈰制備關(guān)鍵技術(shù)。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,贛州科技局發(fā)布關(guān)于組織申報2024年度贛州市科技計劃項目(第一批)的通知。申報指南涉及芯片拋光用超高純納米氧化鈰制備關(guān)鍵技術(shù)。




項目申報指南中提到,贛州市制造業(yè)重點產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化建設(shè)“7510”行動計劃,通過解決產(chǎn)業(yè)技術(shù)難題,提升產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平。項目支持強度:50萬元/項,擬立項支持10項。其中稀土新材料及應(yīng)用中涉及芯片拋光技術(shù):


芯片拋光用超高純納米氧化鈰制備關(guān)鍵技術(shù)

研究內(nèi)容:針對集成電路領(lǐng)域芯片拋光材料對超高純納米氧化鈰的迫切需求,開展氧化鈰中關(guān)鍵敏感稀土和非稀土雜質(zhì)深度去除過程與機理研究;氧化鈰提純、粉體可控合成技術(shù)開發(fā);以批量化、高質(zhì)化為目標,開展超高純納米氧化鈰批量制備放大技術(shù)研究,并實現(xiàn)超高純納米氧化鈰百公斤級制備。

考核指標:氧化鈰純度≥99.995%,其中,Al<3ppm,B<4ppm,Ca<1ppm,Co<0.5ppm,Cr<1ppm,Cu<0.25ppm,F(xiàn)e<4ppm,Mg<0.5ppm,Mn<0.25ppm,Na<5ppm,Ni<1ppm,Zn<0.25ppm,K<0.8ppm,Cl<2ppm;D50為60-120nm,粒度分布(D90-D10)/(2D50)<0.8;三個連續(xù)批的D50偏差≤±10%,純度滿足指標要求;建設(shè)百公斤級高純納米氧化鈰粉體示范生產(chǎn)線一條


芯片拋光,氧化鈰更具優(yōu)勢


目前半導(dǎo)體CMP拋光液的磨料主要以納米SiO2為主,在使用SiO2拋光液拋光硅片時,主要通過機械作用進行拋光,由于二氧化硅與硅片硬度接近,所以在拋光過程中損傷較小,能夠快速、有效的磨掉硅片表面不均勻區(qū)域。但是使用SiO2拋光硅片時,化學(xué)作用沒有充分利用,雖然SiO2中硅為四價具有氧化性但是由于SiO2性質(zhì)比較穩(wěn)定,其氧化作用較為遲鈍,即使是在堿性環(huán)境中,也只能通過表面的堿溶和水合過程將硅片表面的硅層轉(zhuǎn)化為氫氧化硅,再通過機械作用除去,但是這個過程速度非常緩慢,限制了CMP的速率。這就導(dǎo)致了在以SiO2作為拋光液拋光過程中未能充分利用到其化學(xué)腐蝕作用從而使得拋光效果較差。


而以氧化鈰拋光液為基礎(chǔ)的CMP工藝具備更加優(yōu)異的平坦化能力以及同時吸附陰陽離子的特殊性質(zhì),因此具有高產(chǎn)出和低缺陷及拋光速率快的特性,可以有效進行粗拋和精拋,能夠十分有效地解決以第一代氧化硅拋光液為基礎(chǔ)的CMP工藝缺點。此外,氧化鈰的晶形和活性較好,粒度小而均勻,用量少且使用壽命長;氧化鈰拋光液清潔、無污染,易于處理。稀土拋光粉作為其中一個應(yīng)用方向,極大程度地推動了化學(xué)機械拋光的發(fā)展,CeO2基拋光液是CMP技術(shù)最重要的主流選擇。


制備難點需打破


氧化鈰拋光液主要用于集成電路平坦化拋光。


高純度、高分散的納米球形氧化鈰粉體的可控批量制備是芯片拋光用高純氧化鈰拋光液的難點之一。目前用于集成電路拋光用的氧化飾粉體材料一般都是采用普通的液相沉淀工藝制成的,這種顆粒的缺陷是粒度分布寬,形貌不規(guī)則,這些都對拋光質(zhì)量造成不良的影響,使表面劃傷嚴重,不能滿足高端拋光的要求。


另外,常用研磨、拋光材料的硬度材料金剛石在CeO2晶格中通常會出現(xiàn)氧空位使得其理化性能發(fā)生變化,并對拋光性能產(chǎn)生一定的影響。常用的氧化鈰拋光粉中均含有一定量的其他稀土氧化物,氧化鐠也為面心立方晶格結(jié)構(gòu),可適用于拋光,而其他鑭系稀土氧化物沒有拋光能力,它們可在不改變CeO2晶體結(jié)構(gòu)的條件下,在一定范圍內(nèi)與之形成固溶體。對高純納米氧化鈰拋光粉而言,氧化鈰的純度越高,拋光能力越大,使用壽命也增加,特別是硬質(zhì)玻璃和石英光學(xué)鏡頭等長時間循環(huán)拋光時,以使用高純度的氧化鈰拋光粉為宜。


隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,對芯片拋光材料的需求也越來越高。而作為稀土應(yīng)用之一的氧化鈰拋光粉,其純度、粒度分布等性能直接影響到芯片拋光的效果和質(zhì)量。因此,制備技術(shù)的突破能夠確保獲得高質(zhì)量的超高純納米氧化鈰,滿足集成電路領(lǐng)域?qū)伖獠牧系母邩藴市枨。同時,制備技術(shù)的突破能夠?qū)崿F(xiàn)超高純納米氧化鈰的批量化和高質(zhì)化生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本,為集成電路產(chǎn)業(yè)提供更加穩(wěn)定、可靠的拋光材料。


贛州這50萬的福利,看誰能接!


來源:贛州章貢區(qū)人民政府官網(wǎng)、贛州科技

夏超:納米氧化鈰拋光液的制備與性能研究


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知刪除

推薦12

作者:空青

總閱讀量:3427817

相關(guān)新聞:
網(wǎng)友評論:
0條評論/0人參與 網(wǎng)友評論

版權(quán)與免責聲明:

① 凡本網(wǎng)注明"來源:中國粉體網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于中國粉體網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:中國粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。

② 本網(wǎng)凡注明"來源:xxx(非本網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,且不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。如其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源",并自負版權(quán)等法律責任。

③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

粉體大數(shù)據(jù)研究
  • 即時排行
  • 周排行
  • 月度排行
圖片新聞