中國粉體網(wǎng)訊 高純銦在液晶顯示、太陽能光伏、紅外探測、半導體化合物合成等方面應用廣泛。例如氧化銦錫（ITO）薄膜或靶材、用作Ⅱ—Ⅵ價半導體化合物的摻雜劑三甲基銦（TMI）、CuInSe2薄膜電池、激光器用InGaAs、霍爾元件和磁阻器用InSb、InP及InAs等。
株洲科能5N~7N高純銦
目前半導體領域?qū)︺熢霞兌鹊囊蠡驹?N及以上。我國是全球銦資源和國際原生銦供應第一大國，但銦產(chǎn)品集中在中低端，7N超高純銦仍需要通過國外再加工與反向輸入。美國銦公司、歐洲金屬公司、日本同和集團和三菱株式會社都擁有較為穩(wěn)定成熟的6N/7N級高純銦生產(chǎn)技術。目前高純銦的制備方法主要有電解精煉法、真空蒸餾法、區(qū)熔法和單晶直拉法等。
5N、6N高純銦及7N超高純銦的行業(yè)標準
株洲科能高純銦
獲得國內(nèi)外知名化合物半導體企業(yè)一致認可
株洲科能新材料股份有限公司（以下簡稱：株洲科能）成立于2001年1月，位于中國湖南株洲金山科技工業(yè)園，是一家專業(yè)從事�。ㄏ∩ⅲ┙饘佟雽w材料、顯示發(fā)光材料生產(chǎn)的國家級高新技術企業(yè)。
株洲科能產(chǎn)品主要包括高純鎵、高純銦以及ITO等靶材用銦（4N5-5N）、氧化銦、氧化鎵等電子級稀散金屬系列產(chǎn)品，和工業(yè)鎵、鉍及氧化鉍等工業(yè)級稀散金屬系列產(chǎn)品兩大類，主要應用于磷化銦、砷化鎵等化合物半導體、太陽能電池P型硅片、ITO等靶材合成以及醫(yī)藥、化工等領域高端產(chǎn)品制造。
作為國內(nèi)高純銦產(chǎn)品領域的領先企業(yè)，株洲科能始終保持國內(nèi)高純銦市場份額的領先地位，著力布局日本、德國、韓國、美國等半導體原材料需求旺盛的海外市場，憑借高純產(chǎn)品的純度、過程管控、一致性、交付及時性等的優(yōu)勢，已獲得Wafer、AXT、5NPlus以及云南鑫耀等國內(nèi)外知名化合物半導體企業(yè)的廣泛認可。
株洲科能作為全球高純鎵、高純銦材料的主要提供商之一，整體處于國內(nèi)領先水平，已先后成功配套Freiberger、AXT、Wafer、5NPlus、Rasa等全球主要化合物半導體廠商，系全球化合物半導體領域領先企業(yè)Freiberger的高純鎵主要供應商以及Wafer在中國境內(nèi)高純銦唯一供應商，同時高純鎵、高純銦已基本覆蓋三安光電、蘇州納維、云南鑫耀、浙江康鵬等國內(nèi)近些年興起的主要化合物半導體廠商及中國科學院半導體研究所等科研單位，以及隆基綠能、江蘇協(xié)鑫等國內(nèi)領先的光伏企業(yè)。據(jù)中國有色金屬工業(yè)協(xié)會稀散金屬分會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，株洲科能高純銦產(chǎn)品于國內(nèi)市場占有率約51%左右，生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)銷量、產(chǎn)值排名全國第一位。
株洲科能高純銦
技術經(jīng)濟指標達到同類技術領先水平
針對我國高純金屬生產(chǎn)相關理論薄弱，除雜手段和裝備相對單一，工藝流程長，高純金屬直收率低，典型雜質(zhì)元素缺乏綠色高效去除手段等痛點，株洲科能自主研發(fā)金屬熔體空氣氧化技術、循環(huán)高效電化學技術、選擇性定向揮發(fā)真空冷凝技術、多模式電磁場調(diào)控定向凝固技術、高純金屬真空脫氣技術等一系列關鍵技術，能高效去除金屬銦中的主體雜質(zhì)。
在高純銦生產(chǎn)中采用多模式電磁場的力/能量效應，調(diào)控金屬結晶/區(qū)熔過程中固液界面前沿雜質(zhì)原子動量傳輸行為及擴散邊界層厚度、復合相變和場驅(qū)動效應，歧化雜質(zhì)組元的有效平衡分配系數(shù)，提高雜質(zhì)原子的遷移速率，解決粉末晶粒過粗導致除雜效果不佳，電解過程中雜質(zhì)容易被包覆，高溫下痕量雜質(zhì)擴散污染高純金屬，氣體雜質(zhì)難以完全脫除，后期成型再次污染等一系列難題，實現(xiàn)銦中微量及痕量雜質(zhì)的深度去除；研發(fā)出8N超高純銦產(chǎn)業(yè)化制備工藝并實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，其中雜質(zhì)元素鋁<0.001ppm，鉈、錫、鉛<0.005ppm，技術經(jīng)濟指標先進程度高，達到同類技術領先水平。
行業(yè)知名廠商高純銦生產(chǎn)水平
目前，株洲科能已建立完整的研發(fā)、生產(chǎn)體系并擁有完全自主知識產(chǎn)權，擁有授權專利43項，其中發(fā)明專利20項，科技成果轉化能力突出。株洲科能生產(chǎn)的7N5以上高純銦，可用于分子束外延砷化鎵基PHEMT和磷化銦基HEMT材料。所生長PHEMT外延材料，室溫的電子遷移率為6，500-7，000cm2/V.s，二維電子氣材料濃度為1.7-2.0x1012cm-2；磷化銦基HEMT材料的電子遷移率為8，500-11，000cm2/V.s，二維電子氣材料濃度為2.2-2.5x1012cm-2，滿足分子束外延材料生長要求，實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代的關鍵指標要求。
株洲科能超純銦（MBE分子束外延）
株洲科能
實現(xiàn)高純材料低成本、規(guī)�；⒎�(wěn)定生產(chǎn)
近年來，株洲科能堅持在高純材料領域高強度研發(fā)投入，2020-2023年研發(fā)費用約1億元，在高純材料生產(chǎn)工藝、裝備、檢測等方面不斷進行技術創(chuàng)新，重點解決了行業(yè)“高純材料難以低成本、規(guī)�；⒊掷m(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)”“高純材料關鍵技術體系化、平臺化開發(fā)”兩大技術難題。
全球預估銦儲量僅5萬噸，其中可開采的占50%。由于未發(fā)現(xiàn)獨立銦礦，工業(yè)通過提純廢鋅、廢錫的方法生產(chǎn)金屬銦，回收率約為50-60%。株洲科能自主研發(fā)了“循環(huán)高效電化學技術”“高效痕量檢測技術”“綠色環(huán)保連續(xù)氧化技術”等六大核心技術，形成了構建工藝、裝備、檢測齊頭并進，關鍵核心技術的突破。構建了工藝聯(lián)環(huán)、生產(chǎn)閉環(huán)的回收、提純一體化生產(chǎn)工藝體系，實現(xiàn)了銦、鎵、砷等元素的循環(huán)綜合利用，具有顯著的社會經(jīng)濟價值。其中，“一種從銻化銦廢料中綜合回收銦和銻的方法”“一種磷化銦中銦的回收方法”“一種高純銦的提純方法”等專利技術有力保障了高純銦的持續(xù)生產(chǎn)能力。
2021年，株洲科能牽頭聯(lián)合中科院半導體所承擔工信部某項目，2023年已通過驗收。2022年承擔科技部國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性礦產(chǎn)資源開發(fā)利用”之重點專項“6N級以上超高純稀有稀散金屬制備技術”。2024年，工信部公布了第八批制造業(yè)單項冠軍遴選企業(yè)認定名單，株洲科能憑借“高純銦”產(chǎn)品獲評國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)。株洲科能長期將自身研發(fā)活動與國家科技發(fā)展緊密結合，攻克行業(yè)前沿技術和難題，培養(yǎng)復合型、跨學科專業(yè)人才，為推動行業(yè)發(fā)展做出了諸多貢獻。
參考來源：
株洲科能官網(wǎng)
株洲科能招股說明書
新華網(wǎng)
文家俊，磷及銦提純方法研究進展，上海大學
王涵，銦資源的回收技術研究進展，昆明理工大學
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/昧光)
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