中國粉體網(wǎng)訊  7月9日，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局顯示，浙江美晶新材料股份有限公司申請公布了一系列關(guān)于石英坩堝的專利：“一種半導體級合成石英坩堝及其制備方法和半導體級單晶硅生長方法”“一種單晶硅用石英坩堝及其制備方法及半導體級單晶硅生長方法”“一種半導體級合成石英坩堝及其制備方法”“一種石英坩堝及其制備方法與應(yīng)用”等。

一種半導體級合成石英坩堝及其制備方法和半導體級單晶硅生長方法

該發(fā)明提供一種半導體級合成石英坩堝及其制備方法和半導體級單晶硅生長方法，該制備方法包括石英砂成型工藝；石英砂成型工藝包括依次加入外層石英砂、中層石英砂和內(nèi)層石英砂；外層石英砂、中層石英砂和內(nèi)層石英砂的加入過程中，分別獨立地進行抽真空處理；抽真空處理的真空頻率，隨著外層石英砂、中層石英砂和內(nèi)層石英砂的加入逐漸增大。該制備方法可以提高石英砂的堆積密度，防止石英砂在抽真空起弧時出現(xiàn)塌陷現(xiàn)象，導致出現(xiàn)氣泡不良，同時抑制了起弧瞬間的熱沖擊導致的內(nèi)層石英砂移動以及端口石英砂熔化時團聚移動的現(xiàn)象，提高了石英坩堝以及單晶硅產(chǎn)品的品質(zhì)。

一種單晶硅用石英坩堝及其制備方法及半導體級單晶硅生長方法

該發(fā)明提供一種單晶硅用石英坩堝及其制備方法及半導體級單晶硅生長方法，該制備方法包括：對石英砂成型后的石英坩堝依次進行排氣處理、封皮處理、透明層熔制、氣泡層熔制、退火和冷卻；退火處理包括：所述氣泡層熔制后的降溫過程中，監(jiān)測石英坩堝內(nèi)表面的溫度，至石英坩堝R角內(nèi)表面溫度降溫至應(yīng)力突變溫度區(qū)間，進行抽真空處理，保持真空狀態(tài)至所述石英坩堝內(nèi)表面各區(qū)域溫度均勻。該制備方法可以降低或消除石英坩堝內(nèi)部應(yīng)力，提高石英坩堝的使用壽命，同時提高了石英坩堝的生產(chǎn)效率。

 一種半導體級合成石英坩堝及其制備方法

該發(fā)明提供一種半導體級合成石英坩堝的制備方法，該制備方法包括：對石英砂成型后的石英坩堝依次進行排氣處理、封皮處理、透明層熔制、氣泡層熔制和冷卻；封皮處理、透明層熔制和氣泡層熔制過程中，水冷板與模具口的距離為50~80mm。該制備方法有效減少外界雜質(zhì)的進入，降低外界對坩堝內(nèi)部熔融環(huán)境的影響，改善了合成石英坩堝R角內(nèi)表面純度高的問題。

一種石英坩堝及其制備方法與應(yīng)用

該發(fā)明公開了一種石英坩堝及其制備方法與應(yīng)用，屬于石英坩堝制造技術(shù)領(lǐng)域。該石英坩堝的氣泡層包括直壁段和弧形段，直壁段包括由外至內(nèi)設(shè)依次設(shè)置的石英砂摻鋁層及第一石英砂氣泡層，弧形段為第二石英砂氣泡層；石英砂摻鋁層中摻鋁石英砂的鋁堿比為4~50；摻鋇層中含鋇溶液的濃度為0.5%~2%。通過在氣泡層的直壁段設(shè)置特定鋁堿比的石英砂摻鋁層，有利于提高直壁段的強度和粘度，減少高溫軟化現(xiàn)象，避免石英坩堝出現(xiàn)鼓包和褶皺等問題，延長石英坩堝的使用壽命；通過控制含鋇溶液中溶質(zhì)的濃度，也有利于提高晶棒成晶率。該石英坩堝的制備方法簡單，操作容易，適于工業(yè)化生產(chǎn)。將該石英坩堝用于制備單晶硅，有利于提高單晶硅的成晶率。

圖源：美晶新材

據(jù)中國粉體網(wǎng)編輯了解，浙江美晶新材料股份有限公司（簡稱“美晶新材”）為晶盛機電的控股子公司，創(chuàng)建于2017年，總部設(shè)立在浙江紹興，在浙江、內(nèi)蒙和寧夏建立生產(chǎn)基地，經(jīng)營范圍包括石英坩堝產(chǎn)品的開發(fā)、制造和銷售；石英設(shè)備、石英晶體制品的加工、銷售；進出口業(yè)務(wù)。

參考來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局，美晶新材官網(wǎng)，中國粉體網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/九思）

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