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金剛石—終極半導(dǎo)體的“破繭”之路


來源:中國粉體網(wǎng)   輕言

[導(dǎo)讀]  金剛石被譽為“終極半導(dǎo)體”,其“破繭”之路面臨著諸多挑戰(zhàn)與機遇。

中國粉體網(wǎng)訊  半導(dǎo)體行業(yè)是當(dāng)今世界科技創(chuàng)新的重要驅(qū)動力,也是體現(xiàn)各國競爭力的重要標(biāo)志。半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體行業(yè)的核心,其性能的高低直接決定了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平。人造金剛石自問世以來,即以其優(yōu)異的半導(dǎo)體特性,被賦予了“終極半導(dǎo)體”的美譽。


然而,經(jīng)過近半個世紀(jì)的發(fā)展,金剛石材料的半導(dǎo)體應(yīng)用之路,既面臨高質(zhì)量金剛石半導(dǎo)體材料的生長加工難題,也有金剛石半導(dǎo)體器件設(shè)計的關(guān)鍵瓶頸等亟待攻克的技術(shù)難題。


金剛石半導(dǎo)體有何優(yōu)勢?


金剛石是一種由純碳元素組成的單質(zhì),與石墨、納米碳管、富勒烯等均屬同素異形體,是一種集聲、光、熱、力、電,以及量子等眾多優(yōu)異性能于一身的多功能超極限材料。


金剛石最引人關(guān)注的性質(zhì)是其電子學(xué)(半導(dǎo)體)特性。它具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)等優(yōu)異的電子學(xué)性質(zhì),基于金剛石材料的半導(dǎo)體器件有望在高頻、大功率和高溫高壓,以及極端環(huán)境中運行。金剛石通過摻雜等方式可呈現(xiàn)n型導(dǎo)電和p型導(dǎo)電,綜合性能遠(yuǎn)超GaAs、GaN和SiC等材料,是未來最有前景的(超)寬禁帶半導(dǎo)體材料。


主要寬禁帶材料的參數(shù)對比


金剛石半導(dǎo)體合成與加工


目前,人工合成金剛石的主流方法可分為高溫高壓(HPHT)法和化學(xué)氣相沉積(CVD)法兩大類。其中,HPHT法主要用于合成金剛石粉體(或小尺寸單晶),主要應(yīng)用于切割、磨削、拋光等機械工具領(lǐng)域。不過,HPHT法對于金剛石內(nèi)部缺陷和雜質(zhì)的控制比較困難,目前還無法滿足半導(dǎo)體金剛石材料的合成需求。


高溫高壓法結(jié)構(gòu)簡圖


CVD法可以制備高質(zhì)量的金剛石,因其優(yōu)越的腔室真空環(huán)境,使所制備的金剛石材料內(nèi)部雜質(zhì)較少。CVD法包括熱絲CVD法、等離子體噴射CVD法、微波等離子體CVD法。在這三種CVD方法中,微波等離子體CVD(MPCVD)法因為沒有電極污染而備受青睞。


CVD法合成技術(shù)簡圖


目前,MPCVD合成半導(dǎo)體金剛石材料的主要目標(biāo)是實現(xiàn)晶圓級(2英寸及以上)、低缺陷的金剛石單晶。技術(shù)路線包括異質(zhì)外延法、同質(zhì)外延法(如拼接生長和三維生長)等。前者目前已經(jīng)可以實現(xiàn)4英寸單晶金剛石生長,但是其內(nèi)部缺陷密度較高,與半導(dǎo)體材料的基本要求仍有較大差距。而后者目前僅能實現(xiàn)不大于2英寸的單晶金剛石生長,且在拼接縫處存在缺陷聚集的問題,成為限制該技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。


大尺寸單晶金剛石生長路線示意圖


金剛石半導(dǎo)體性能及器件設(shè)計


由于本征的塊體金剛石是絕緣體,不具備導(dǎo)電性能,不能直接用于制作半導(dǎo)體器件。目前,金剛石的半導(dǎo)體化主要通過金剛石摻雜、表面氫化處理等方式來實現(xiàn)。


其中,金剛石的摻雜包括在金剛石生長過程中引入摻雜元素實現(xiàn)p型摻雜和n型摻雜,或者通過離子注入法向已經(jīng)制備的高質(zhì)量金剛石中摻入其他元素來實現(xiàn)。實現(xiàn)金剛石半導(dǎo)體化的最大問題是摻雜難度非常大,尤其是n型摻雜。


金剛石半導(dǎo)體化的另一種途徑是使用氫等離子對金剛石表面進(jìn)行處理,并暴露在空氣中,此時金剛石表面會形成一層二維空穴氣(2DHG)導(dǎo)電層,該方法已經(jīng)應(yīng)用在高性能的場效應(yīng)晶體管器件。


金剛石在功率電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用主要面向高功率金剛石二極管和晶體管,針對高擊穿電壓、高擊穿場強、高溫工作、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和常關(guān)器件等方向。


在微波電子學(xué)領(lǐng)域,金剛石的應(yīng)用則主要以氫終端FET為主,并且向高fT/fmax和高功率密度方向發(fā)展。


在量子計算領(lǐng)域,金剛石中的氮空位中心(NV center)具有獨特的量子特性,使其在量子計算領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價值。研究人員正在探索利用金剛石中的 NV center 實現(xiàn)量子比特的存儲和操作,為未來的量子計算技術(shù)提供新的解決方案。


在光學(xué)器件領(lǐng)域,金剛石不僅在電學(xué)性能上表現(xiàn)出色,在光學(xué)領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用。金剛石具有高透明度、高硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,可用于制造高性能的光學(xué)窗口、透鏡和棱鏡等器件。此外,金剛石還可以作為激光增益介質(zhì),用于制造高功率激光器。


金剛石半導(dǎo)體未來與發(fā)展趨勢


展望未來,金剛石材料和功率器件領(lǐng)域的發(fā)展重點可能會集中在以下幾個方向。


一是開發(fā)出滿足功率半導(dǎo)體器件制造要求的2英寸以上金剛石單晶材料的制備技術(shù)。這包括基于拼接技術(shù)的同質(zhì)外延和基于模版襯底的異質(zhì)外延技術(shù)。


二是獲得高質(zhì)量的n型摻雜技術(shù),提高摻雜金剛石載流子濃度及遷移率,為研究金剛石功率器件奠定基礎(chǔ)。


三是突破大面積金剛石單晶的劃片(剝離)技術(shù),為實現(xiàn)金剛石半導(dǎo)體商業(yè)化應(yīng)用提供保障。


四是加快核心裝備的自主創(chuàng)新,開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)大功率MPCVD系統(tǒng),以及相關(guān)配套裝備,突破國外在裝備領(lǐng)域的壟斷和封鎖。


金剛石半導(dǎo)體材料及器件總有一天會以驚人的姿態(tài)“破繭而出”!


參考來源:

1.方嘯虎等:培育大單晶金剛石的現(xiàn)狀與未來. 超硬材料工程

2.謝文良:單晶金剛石MPCVD外延生長的關(guān)鍵問題研究. 吉林大學(xué)

3.高旭輝:金剛石—終極半導(dǎo)體的“破繭”之路. 科學(xué)咨詢


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/輕言)

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