中國粉體網(wǎng)訊  石英坩堝是具有不同尺寸大小的圓堝狀石英玻璃制品，具有氣泡極少（內層）、二氧化硅純度極高和熔點高等優(yōu)勢，用于直拉法拉制芯片和光伏產業(yè)必需的單晶硅棒。

在半導體行業(yè)，石英坩堝對堿金屬和過渡金屬等雜質含量有較高要求，堿金屬雜質會影響石英坩堝的熱學特性，降低石英制品的耐溫性，使其熔點降低，高溫性能變差；過渡金屬雜質會降低導電性，縮減半導體的使用壽命，雜質含量高還會產生氣泡和色斑等缺陷，降低石英坩堝的透明度，嚴重時還會影響石英坩堝成型。 

《單晶硅生長用石英坩堝》行業(yè)標準對于石英坩堝的雜質元素含量要求如下：

單晶硅生長用石英坩堝的雜質元素含量要求（單位為微克每克）

以地方標準《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規(guī)范》為例，看一看電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝原輔材料的嚴苛要求。 

地方標準《DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規(guī)范》

 石英砂雜質元素含量（單位為微克每克）

由內蒙古歐晶科技股份有限公司、江西中昱新材料科技有限公司、錦州佑鑫石英科技有限公司為主要起草單位編制的團體標準《半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規(guī)范標準》中規(guī)定了半導體單晶硅生長用石英坩堝主要原輔材料的標準。

《半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規(guī)范標準》 石英砂雜質元素含量（單位為微克每克）

發(fā)展趨勢

向大尺寸方向發(fā)展

為提高生產效率并降低成本，向大尺寸演進是半導體硅片制造技術的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。

半導體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，從最初的2英寸發(fā)展到了目前的12英寸，未來還有可能發(fā)展到18英寸，硅片的可利用面積比例將逐步增高。這也促使硅單晶硅材料進一步朝著無缺陷、大尺寸、高均勻度和結構完整性的方向發(fā)展。

未來，大尺寸硅片需求量持續(xù)攀升將推動半導體石英坩堝規(guī)模進一步增長。隨著8英寸及12英寸半導體硅片出貨量持續(xù)增長，對應24英寸及32英寸半導體石英坩堝的需求持續(xù)增加。

國內半導體石英坩堝市場占有率有望提升

隨著全球半導體產業(yè)向中國轉移，國產半導體石英坩堝市場占有率有望提升，在國家政策的扶持下，我國半導體產業(yè)的建設力度持續(xù)加強，進而有力帶動產業(yè)鏈上游石英坩堝需求的增長。未來隨著半導體領域國產替代進程的推進，國產石英坩堝在半導體領域的市場占有率將得到進一步提升。

企業(yè)介紹

錦州佑鑫石英科技有限公司成立于2004年，公司專注于太陽能級和半導體級石英坩堝的研發(fā)及制造，現(xiàn)具備錦州和曲靖兩個生產基地：錦州基地主要致力于半導體級高純石英坩堝的研發(fā)及制造，可批量供應16-28英寸半導體石英坩堝，具備年產12萬只石英坩堝的能力。

錦州佑鑫石英科技有限公司生產的石英坩堝，采用高溫電弧法制造，純度在99.99% 以上 ，具有良好的耐高溫性能（ 1450 ℃）。用于CZ法單晶硅生長及其它用途 。

2024年11月21-22日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“2024（第八屆）全國石英大會暨展覽會”將在江蘇徐州召開，錦州佑鑫石英科技有限公司的研發(fā)中心主任馬力將做《坩堝用高純石英砂的要求及發(fā)展趨勢》的報告，屆時，他將結合研發(fā)經(jīng)驗，詳細解讀坩堝用高純石英砂的要求及發(fā)展趨勢。

參考來源：

[1]C/T1048-2018,單晶硅生長用石英坩堝

[2]DB 13/T 5631—2022電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝生產技術規(guī)范

[3]TCEMIA024-2021,半導體單晶硅生長用石英坩堝生產規(guī)范標準

[4]盾源聚芯招股說明書、美晶新材招股說明書

[5]國家知識產權局，錦州佑鑫石英科技有限公司

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/九思） 

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