中國粉體網訊 隨著半導體技術的飛速發(fā)展，材料創(chuàng)新成為突破性能瓶頸的關鍵。金剛石憑借其卓越的硬度、導熱性及潛在的半導體特性，在半導體產業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)中已展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿蛻脙r值。其中，金剛石微粉作為磨拋料，以其超精密加工能力，顯著提升了半導體晶片的表面質量和生產效率，成為半導體制造不可或缺的一環(huán)。
從2024半導體行業(yè)用金剛石材料技術大會組委會獲悉，本屆會議將于2024年12月24日在鄭州舉辦。山東力冠微電子裝備有限公司將出席本次大會，現(xiàn)場交流前沿技術、市場。
企業(yè)介紹
山東力冠微電子裝備有限公司成立于2013年，同年6月正式成為中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會會員；2018年11月，被山東省科技廳認定為“高新技術企業(yè)”；2019年3月被第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟評為副理事長單位，同年9月榮獲中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽·國際第三代半導體專業(yè)賽優(yōu)勝獎；2022年、2023年分別被山東省工信廳認定為“創(chuàng)新型中小企業(yè)”與“專精特新中小企業(yè)”。
作為一家國家高新技術企業(yè)，公司常年與國內知名半導體企業(yè)、科研院校等保持密切合作，公司產品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備，均擁有自主知識產權，完全自主可控，被廣泛應用于集成電路、功率半導體、化合物半導體、5G芯片、光通信、MEMS等新型電子器件制造領域。經過十年的發(fā)展，已成為一家集研發(fā)、生產、銷售為一體的半導體材料工藝裝備制造商。
部分產品介紹
1、液相法SiC長晶爐設備
產品概述液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。
產品特點
晶體尺寸:6/8英寸
溫度范圍：溫度1500-2100℃
真空度:1*10-3pa
提拉/坩堝桿：升降0.2-400mm/h，旋轉0.5-50rpm
稱重：6kg 精度：0.01g
2、LPCVD 臥式爐管設備
產品概述
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。
產品特點
裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產生粉塵
溫度控制采用串級控制方式，對基片實際溫度進行實時智能控制
工作壓力閉環(huán)自動控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復性
可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺
技術指標
晶片尺寸：6/8英寸晶圓
制程溫度范圍：500°C-900°C
恒溫區(qū)長度：≥800mm
控溫精度：±1°C
3、MPCVD設備
產品概述
本設備主要是用于制備單晶金剛石�？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
技術指標
測溫: 300-1500°C
極限真空：≤10Pa
氣路系統(tǒng): 6路
壓力范圍: 5-300Torr
微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調
功率穩(wěn)定性:<2%
波紋:≤1%
微波頻率: 2450MHz士50MHz
微波泄露值:<5Mw/cm²
放電區(qū)域:≥100mm
沉積區(qū)域:≥80mm
生長速率: >12um
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會務組
聯(lián)系人：劉文寶
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