中國粉體網訊 金剛石，素有“硬度之王”的美譽，在材料科學領域占據著舉足輕重的地位。依據晶體結構差異，金剛石可細分為單晶金剛石與多晶金剛石，這兩類材料雖具備諸多共性，但微觀結構的不同致使它們在性能表現、制備手段以及應用范疇等層面呈現出顯著區(qū)別。
微觀結構差異
單晶金剛石擁有高度規(guī)整、近乎完美的晶體結構。從原子尺度來看，碳原子呈嚴密有序的三維周期性排列，晶格完整連貫。整個晶體由單一晶核萌芽，遵循特定結晶學方向穩(wěn)步生長，全程不受晶界干擾。這使得電子云分布均勻對稱，化學鍵能恒定且強大，維系著物理性質在宏觀層面的極致均一性。
圖左為單晶金剛石，右為多晶金剛石
相較之下，多晶金剛石恰似一幅由無數微小“晶體拼圖”拼合而成的“微馬賽克”畫卷。它由眾多細小的納米級小顆粒聚集而成，這些小顆粒的晶體結構與單晶金剛石類似，但它們的排列無序，位向不一致，顆粒間通過不飽和鍵結合，存在明顯的晶界，晶體結構不均勻，缺陷相對較多。
物理性能差異
硬度與耐磨性
單晶金剛石是自然界中硬度最高的物質之一，摩氏硬度為10，具有極高的耐磨性，刀刃可達到原子級的平直度及鋒利度，切削時能將刀刃的完美狀態(tài)復制在被加工物上，加工出光潔度極高的鏡面，適用于超薄切削和超精密加工。
多晶金剛石：硬度稍低于單晶金剛石，但仍具有優(yōu)異的耐磨性能，且其獨特的韌性和自銳性使其在研磨和拋光過程中，粗顆粒會破碎成更小的顆粒，不斷露出新的切削刃，既保證了樣品表面的磨拋質量，又提高了研磨切削效率，更適合研磨表面由不同硬度材料構成的工件。
熱導率與熱穩(wěn)定性
單晶金剛石：室溫下熱導率高達2000 W/(m·K)以上，熱導率基本來自碳原子振動即聲子的傳播，其高度有序的晶格結構幾乎不存在晶界散射的影響，能在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學性質，可應用于大功率半導體散熱、激光設備溫控等領域。
多晶金剛石：熱導率雖因晶界散射有所降低，但在特定溫度區(qū)間內，晶界對聲子散射路徑的干擾可轉化為優(yōu)勢，實現對熱導率的調控，可作為半導體功率器件散熱的熱沉應用，其沉淀技術水平相對容易實現，制備成本也更具優(yōu)勢。
光學性能
單晶金剛石：光學折射率高，吸收系數極低，光線穿透時損耗極小，打磨成型后可用于紅外光學窗口、高端顯微鏡物鏡等，CVD法制備的高質量單晶金剛石可做到完全無色透明，從紫外到紅外以及微波范圍都有優(yōu)良的透過性，理論透過率高達71.6%，還可用作性能優(yōu)異的晶體拉曼材料。
多晶金剛石：因晶界散射，光學均勻性受限，但經特殊工藝優(yōu)化晶粒尺寸、降低晶界影響后，可在部分對成本敏感、光學精度要求相對溫和的照明、顯示器件領域得到應用。
制備工藝差異
單晶金剛石：
高溫高壓法（HTHP）：在高溫（1200-2000℃）、高壓（5-6 GPa）及金屬觸媒的作用下，使石墨原料中的碳原子重新排列形成單晶金剛石，該方法可產出大顆粒寶石級單晶，但設備造價高，操作復雜，且晶體尺寸和生長速率受工藝限制。
化學氣相沉積法（CVD）：在低壓高溫的腔室中，利用等離子體、熱絲等激活含碳氣體，促使碳原子逐層沉積在襯底上生長出單晶金剛石，這種方法制備的晶體純度高，可精準調控生長參數，適合半導體級單晶的批量生產，但生長速度相對較慢。
多晶金剛石：
直接轉化法：將石墨粉與金屬粘結劑混合，經短時高溫高壓燒結，使石墨快速轉化為多晶金剛石，該工藝簡單、成本低，可快速制造塊狀、異形多晶產品，常用于工業(yè)刀具的生產。
CVD法：通過調整沉積氣壓、溫度、氣體流量等參數，促使大量晶核生成并生長，從而得到多晶金剛石，可靈活控制晶粒尺寸和晶界特性，用于刀具涂層、微機電系統（MEMS）精細部件等領域。
應用領域多元化
單晶金剛石：
（一）半導體領域：作為理想的襯底材料，其寬禁帶、高載流子遷移率等特性有助于晶體管、功率模塊突破高頻、高壓運行瓶頸，推動5G基站、電動汽車動力系統芯片等的革新。
（二）光學儀器制造：用于制造高精度的光學窗口、透鏡等，如紅外探測器、太空望遠鏡等，可提高設備的光線捕捉和解析能力。
（三）超精密加工：如制造切削工具，可實現對材料的高精度、高效率加工，在加工有色金屬時，表面粗糙度可達Rz0.1-Rz0.05μm，被加工工件的形狀精度控制在50nm以下。
多晶金剛石：
（一）研磨拋光：作為精密磨料，廣泛應用于藍寶石晶片、碳化硅晶片、功能陶瓷等硬脆材料的精磨和拋光，能在保證加工質量的同時提高效率。
（二）電子封裝：多晶金剛石薄膜可作為散熱基板，解決芯片發(fā)熱問題，為電子產品的輕薄化和性能提升提供支持。
（三）半導體散熱：多晶金剛石膜可作為半導體功率器件散熱的熱沉，提高器件的散熱性能，保證其穩(wěn)定運行。
結語
現階段，在單晶金剛石的研究方向上，科研團隊著重攻克兩大難題，一是降低生產成本，實現大規(guī)模量產，二是探索大尺寸單晶金剛石的生長方法；與此同時，還積極開展新型摻雜技術、缺陷調控技術的探索，力求挖掘更多潛在性能。對于多晶金剛石而言，研發(fā)工作聚焦于對晶界結構進行智能化設計，通過精準調控，使多晶金剛石在既定方向上優(yōu)化性能，滿足特定工業(yè)需求。隨著科技不斷進步，單晶金剛石與多晶金剛石必將持續(xù)發(fā)揮關鍵作用，助力更多未知技術創(chuàng)新得以實現。
參考來源：
鄭宇亭：金剛石表面狀態(tài)控制及應用基礎研究
方嘯虎等：培育大單晶金剛石的現狀與未來
許坤等：MPCVD法生長曲面多晶金剛石薄膜研究
中國粉體網
（中國粉體網編輯整理/留白）
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