近日，中山大學(xué)發(fā)布多批政府采購意向，預(yù)算高達(dá)0.96億元，其中囊括化學(xué)機(jī)械拋光相關(guān)設(shè)備，預(yù)計采購時間為2024年12月~2025年1月。

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術(shù)被譽(yù)為是當(dāng)今時代能實(shí)現(xiàn)集成電路（IC）制造中晶圓表面全局平坦化的目前唯一技術(shù)，化學(xué)機(jī)械拋光的效果直接影響到芯片最終的質(zhì)量和成品率。

CMP工藝  來源：何潮等，半導(dǎo)體材料CMP過程中磨料的研究進(jìn)展

CMP工藝平坦化原理是，利用機(jī)械力作用于圓片表面，同時由研磨液中的化學(xué)物質(zhì)與圓片表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來增加其研磨速率。CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括：拋光機(jī)、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。

在CMP工藝中，首先讓研磨液填充在研磨墊的空隙中，圓片在研磨頭帶動下高速旋轉(zhuǎn)，與研磨墊和研磨液中的研磨顆粒發(fā)生作用，同時需要控制研磨頭下壓力等其他參數(shù)。CMP 設(shè)備主要分為兩部分，即拋光部分和清洗部分，拋光部分由4部分組成，即3個拋光轉(zhuǎn)盤和一個圓片裝卸載模塊。清洗部分負(fù)責(zé)圓片的清洗和甩干，實(shí)現(xiàn)圓片的“干進(jìn)干出”。

CMP是一種集機(jī)械學(xué)、流體力學(xué)、材料化學(xué)、精細(xì)加工、控制軟件等多領(lǐng)城最先進(jìn)技術(shù)于一體的設(shè)備，是各種集成電路生產(chǎn)設(shè)備中較為復(fù)雜和研制難度較大的設(shè)備之一。隨著圓片直徑的增大和工藝復(fù)雜性的不斷提高，CMP的設(shè)備價格也在逐漸增長。一般來說，用于200 mm圓片的CMP設(shè)備價格約為300 萬美元，用于300 mm圓片的CMP設(shè)備價格約為400 萬美元。 

來源：華海清科官網(wǎng)

近日，中山大學(xué)發(fā)布38項儀器設(shè)備采購意向，預(yù)算總額達(dá)0.96億元，涉及微區(qū)原位場發(fā)射測量系統(tǒng)、電子束光刻機(jī)、等離子體深硅刻蝕系統(tǒng)（ICP）、手動式曝光機(jī)、共濺射磁控濺射系統(tǒng)、光芯片自動耦合升級的掃譜系統(tǒng)等，預(yù)計采購時間為2024年12月~2025年1月。其中，電子與信息工程學(xué)院進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的采購，旨在采購混合集成芯片先導(dǎo)線的既有化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)，用于混合集成工藝中的研磨和拋光工藝，解決混合集成工藝中因局部高低不平而導(dǎo)致的加工精度問題，實(shí)現(xiàn)基片表面平坦化，也可以用于銅金屬以及低介電常數(shù)材料的多層布線平坦化制備工藝。

來源：儀器信息網(wǎng)

參考來源：

[1] 燕禾等，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

[2] 何潮等，半導(dǎo)體材料CMP過程中磨料的研究進(jìn)展

[3] 李丹，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)、設(shè)備及投資概況

[4] 華海清科官網(wǎng)、儀器信息網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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