中國粉體網(wǎng)訊  近日，投資者就金太陽參股領航電子相關(guān)半導體產(chǎn)品問題向金太陽提問，公司表示，參股公司東莞領航電子新材料有限公司已完成IC、硅晶圓、碳化硅等半導體級拋光液的性能驗證并具備量產(chǎn)能力。

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是化學腐蝕和機械磨削相互作用的超精密加工技術(shù)，其基本原理是工件表面材料與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學反應，生成一層軟質(zhì)層，在一定的壓力下，旋轉(zhuǎn)拋光液磨粒和拋光墊對軟質(zhì)層進行機械去除，使工件表面重新裸露出來，然后進行化學反應�；瘜W作用和機械作用交替進行，直到兩者達到平衡，完成工件表面拋光。

目前化學機械拋光技術(shù)被廣泛應用于集成電路制造過程中對基體材料硅晶片的拋光，主要包括：淺槽隔離、銅互連、High-k絕緣層金屬柵極（HKMG）先進晶體管制造、鰭式場效應晶體管（FinFET）、局部連接的高級觸點、高級邏輯器件中的高遷移率溝道材料、高級動態(tài)隨機存儲器中的埋人式字線品體管結(jié)構(gòu)等，對于不同的多層材料的表面平坦化均有良好的效果。

CMP工藝 

來源：王林，拋光墊微觀接觸對化學機械拋光材料去除的影響及其跨尺度建模方法

CMP拋光液可以有效地去除晶圓表面的凸起和凹陷，實現(xiàn)晶圓表面的平整化，提高晶圓質(zhì)量和性能。它的種類、物理化學性質(zhì)（磨料顆粒的粒徑大小、顆粒的分散度及穩(wěn)定性）等都會影響工件材料表面拋光的效果。研磨顆粒是CMP拋光液重要的組成部分，其在拋光過程中通過微切削、微劃擦、滾壓等方式作用于工件被加工表面，去除表面材料。磨粒占拋光液成本的50%-70%。 

東莞領航電子新材料有限公司成立于2021年11月，在粵港澳大灣區(qū)幾何中心由海外CMP業(yè)界資深人士、博士領銜擔綱。產(chǎn)品主要服務于3C、IC企業(yè)。企業(yè)立足在CMP領域助力企業(yè)提質(zhì)增效，是CMP企業(yè)的運營整體方案提供商。公司聚焦于CMP企業(yè)的拋光/研磨高效化運營，通過與客戶需求相匹配的管理平臺所搭建的企業(yè)專業(yè)化研發(fā)、數(shù)字化生產(chǎn)、貼近化服務，構(gòu)建橫向集成、縱向貫通、端到端一體化的全新運營管理體系。

 來源：領航電子官網(wǎng)

公司秉承企業(yè)文化與理念，為CMP企業(yè)提供技術(shù)支持與各類解決方案。通過技術(shù)交流和產(chǎn)品服務，提升CMP企業(yè)運營能力！目前產(chǎn)品包括硅片、碳化硅、氮化鎵等拋光材料，IC芯片、大規(guī)模集成電路拋光材料，3C智能可穿戴拋光解決方案/拋光材料，精密制造拋光解決方案/拋光蠟。

參考來源：

[1] 同花順財經(jīng)、中國粉體網(wǎng)、領航電子官網(wǎng)

[2] 孟凡寧等，化學機械拋光液的研究進展。

[3] 王林，拋光墊微觀接觸對化學機械拋光材料去除的影響及其跨尺度建模方法。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除！