中國粉體網(wǎng)訊 2025年1月3日消息，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，寧波潤平電子材料有限公司取得一項名為“一種晶圓化學機械研磨方法”的專利，可保證研磨處理的保持環(huán)使用穩(wěn)定性。
發(fā)明專利申請 來源：國家知識產(chǎn)權局
CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光）技術是芯片制造中的一項核心工藝，自1965年由Walsh等人首次提出以來，經(jīng)歷了從鋁、銅、低K介質、鈷等多種材料技術的進步，逐漸成為芯片制造工藝中不可或缺的一環(huán)。它是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關鍵工藝。在單晶硅片制造過程和前半制程中，需要多次用到化學機械拋光技術。CMP工藝通過化學腐蝕和機械研磨的協(xié)同配合，實現(xiàn)晶圓表面微米/納米級不同材料的高效去除，從而達到晶圓或表面納米級的平坦化。
寧波潤平電子材料有限公司作為寧波陽明工業(yè)技術研究院培育的企業(yè)，該公司先后獲評國家科技型中小企業(yè)、浙江省科技型中小企業(yè)等稱號，拋光液項目成功入選寧波市“2022年甬江人才計劃”和余姚市“2021年姚江英才計劃”。目前，該公司研發(fā)團隊已吸納多位CMP拋光材料領域的國內外專家，累計申請專利105項，已授權32項，其中發(fā)明專利6項、實用新型專利26項，擁有核心自主知識產(chǎn)權。
潤平電子生產(chǎn)現(xiàn)場 來源：余姚新聞網(wǎng)
寧波潤平電子材料有限公司本次發(fā)明提供了一種晶圓化學機械研磨方法，包括：將保持環(huán)套設在晶圓的外周進行固定，并壓在研磨墊上進行研磨處理；將所述保持環(huán)靠近所述研磨墊一側的表面記為第一表面，將所述保持環(huán)靠近所述晶圓一側的表面記為第二表面，所述第一表面至所述第二表面的過渡半徑0≤R<0.05mm。該發(fā)明保證研磨處理的保持環(huán)使用穩(wěn)定性，解決了殘留物存留的問題，有效提升了晶圓邊緣研磨率。
來源：國家知識產(chǎn)權局
據(jù)潤平電子董事長惠宏業(yè)介紹，潤平電子的研發(fā)團隊突破實現(xiàn)了拋光頭等超精密拋光關鍵零部件的自主研發(fā)，在產(chǎn)品的精度、平坦化程度等多個維度上趕超國外同行。企業(yè)還通過“產(chǎn)品＋服務”的新模式迅速打開國內市場，得到了不少芯片制造企業(yè)的青睞。
“潤平電子”拋光液生產(chǎn)線 來源：浙江日報
潤平電子不僅滿足國內客戶高端拋光材料和零部件的需求，還勇敢“出�！蓖M國際市場。2024年3月，潤平電子在新加坡投資200萬美元，成立獨資企業(yè)，邁出了進軍海外市場的第一步。
參考來源：
國家知識產(chǎn)權局、半導體與物理、余姚新聞網(wǎng)、余姚發(fā)布、浙江日報
