中國粉體網(wǎng)訊  近日，河北同光半導體股份有限公司國家企業(yè)技術中心揭牌暨年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式，在保定國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)舉行。

碳化硅（SiC）材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現(xiàn)代工業(yè)領域應用廣泛。在半導體領域，利用其具有禁帶寬度、擊穿場強高和導熱性良好等特性，SiC成為繼第一代半導體硅（Si）和第二代半導體砷化鎵（GaAs）之后的第三代半導體理想材料；在光學鏡面領域，利用其輕量化、比剛度大和熱變形系數(shù)小等特點，SiC成為空間反射鏡光學元件的優(yōu)選材料；在機械密封領域，利用其較高的尺寸穩(wěn)定性、耐腐蝕性能和耐磨性質，SiC材料已經(jīng)在航空、船舶及特殊車輛等多種場合作為密封元件進行開發(fā)應用。

碳化硅單晶作為第三代半導體材料的核心代表，處在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的最前端，是高端芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎和關鍵。

河北同光半導體股份有限公司，成立于2012年，專業(yè)從事碳化硅單晶片研發(fā)，生產(chǎn)和銷售，是國家高新技術企業(yè)，國家專精特新“小巨人”企業(yè)。

來源：同光股份官網(wǎng)

同光股份始終秉持“以科技為先導，創(chuàng)國際一流企業(yè)”的理念，以創(chuàng)新力為導向，注重人才引進與培養(yǎng)，與中國科學院半導體研究所密切合作，搭建創(chuàng)新平臺。2021年9月，同光股份年產(chǎn)10萬片直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底項目，在淶源縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)投產(chǎn)，成為保定第三代半導體產(chǎn)業(yè)從研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)的一次成功跨越，其目前還在保定國家高新區(qū)廠區(qū)布局碳化硅晶體生長爐500余臺�，F(xiàn)如今，同光股份已經(jīng)逐漸躋身到行業(yè)的第一梯隊，建成從原料合成、晶體生長、襯底加工，到晶片檢測國際先進，完整的碳化襯底生產(chǎn)線。

來源：同光股份官網(wǎng)

近日，同光股份國家企業(yè)技術中心揭牌暨年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式，在保定國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)舉行。項目預計總投資8.82億元，2027年全部投產(chǎn)。

同光股份國家級企業(yè)技術中心的揭牌，是同光股份發(fā)展歷程中的重要里程碑。這是其成立以來獲得認定的首個國家級研發(fā)平臺資質，也是河北省在碳化硅領域，唯一一家獲得國家級技術中心的企業(yè)。

來源：保定日報

參考來源：

[1] 同光股份官網(wǎng)、保定微訊、保定日報

[2] 徐慧敏等，碳化硅晶片的化學機械拋光技術研究進展

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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