中國粉體網(wǎng)訊  近日，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，福建臻璟新材料科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種氮化鋁單晶基板的制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN119145046B，申請(qǐng)日期為2024年11月。

專利中提到，現(xiàn)有專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N201780015442.5的一種氮化鋁單晶基板的制造方法，其包括：準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備由氮化鋁單晶形成的基底基板；生長工序，通過在該基底基板的主面上生長厚度500μm以上的氮化鋁單晶層從而得到層疊體；分離工序，切割該層疊體的氮化鋁單晶層部分，使層疊體分離成層疊有氮化鋁單晶層的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化鋁單晶層部分；再生研磨工序，對(duì)層疊有該薄膜的基底基板的薄膜的表面進(jìn)行研磨；以及循環(huán)工序，將該再生研磨工序中得到的由氮化鋁單晶形成的再生基底基板作為在其研磨表面上生長氮化鋁單晶的基底基板使用。

但是該方法為單面生長，生長速度較慢，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，同時(shí)，晶體容易因溫度控制不均勻產(chǎn)生應(yīng)力集中和結(jié)構(gòu)缺陷，影響基板的質(zhì)量和性能；并且在后處理的打磨過程中，為人工或者半自動(dòng)操作，耗費(fèi)人力，影響工作效率。

該發(fā)明所述新方法采用純度≥99.999％的氮化鋁粉末與高純氮?dú)�，使用上下�?duì)稱的雙坩堝結(jié)構(gòu)，在坩堝上下分別放置晶種AlN粉末，使氮化鋁晶體在上下兩個(gè)方向生長。

該雙向生長法制備氮化鋁單晶基板的優(yōu)點(diǎn)在于，它能顯著提高晶體生長速度，可達(dá)1.0-1.5mm/h，同時(shí)通過上下溫度梯度控制，實(shí)現(xiàn)晶體在兩個(gè)方向上的均勻生長，從而減少應(yīng)力集中和缺陷生成，該方法不僅提高了基板的生產(chǎn)效率，還能優(yōu)化晶體質(zhì)量，確保其具備優(yōu)良的機(jī)械、熱學(xué)和光學(xué)性能，適用于高性能電子器件的制造。

關(guān)于福建臻璟

福建臻璟新材料科技有限公司成立于2018年，是一家全國領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化物材料供應(yīng)商及熱管理方案解決企業(yè)。專注于核心基礎(chǔ)材料、掌握核心技術(shù)、具備完善的新材料開發(fā)能力、是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的科技公司。

公司主營產(chǎn)品有：氮化硅陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板、高純氮化鋁粉、氮化鋁造粒粉、氮化鋁單晶填料粉、氮化鋁單晶球形填料粉、氮化鋁球型填料粉；產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于芯片、功率模塊、高端封裝、射頻/微波等元器件，為5G通訊、光伏、電子電力、新能源汽車及航天航空等高端領(lǐng)域起到關(guān)鍵散熱作用。

參考來源：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

（中國粉體網(wǎng)/山川）

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