国产在线 | 日韩,疯狂做受xxxx高潮不断,影音先锋女人aa鲁色资源,欧美丰满熟妇xxxx性大屁股

再升級(jí)版本拋光液-讓高效拋光更上一層樓


來源:中國粉體網(wǎng)   山林

[導(dǎo)讀]  博來納潤鉭酸鋰襯底CMP拋光液再升級(jí)。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,據(jù)浙江博來納潤電子材料有限公司消息,博來納潤研發(fā)團(tuán)隊(duì)推出的鉭酸鋰LTPOL-124、LTPOL-125A/B、LTPOL-126A/B三款拋光液通過客戶實(shí)測(cè)驗(yàn)證,正式問世。


 

博來納潤官網(wǎng)


在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,鉭酸鋰(LT)作為一種優(yōu)良的多功能晶體材料,憑借其優(yōu)良的壓電、電光和熱電性能,以及機(jī)電耦合系數(shù)大、低損耗、高溫穩(wěn)定性和高頻性能好等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信等民用及軍事領(lǐng)域�?梢哉f,從我們?nèi)粘J褂玫氖謾C(jī),到關(guān)于國防安全的雷達(dá),鉭酸鋰都在發(fā)揮著巨大作用。


在拋光加工這一環(huán)節(jié),常見的拋光技術(shù)如機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、磁研磨拋光、流體拋光、電化學(xué)拋光、離子束轟擊拋光、浮法拋光等,均屬于局部平坦化技術(shù),且平坦化能力從幾微米到幾十微米不等,但是國際上普遍認(rèn)為,加工工件特征尺寸在0.35μm以下時(shí),必須進(jìn)行全局平坦化,化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技術(shù)被譽(yù)為是當(dāng)今時(shí)代能實(shí)現(xiàn)集成電路(IC)制造中晶圓表面全局平坦化的唯一技術(shù),化學(xué)機(jī)械拋光的效果直接影響到芯片最終的質(zhì)量和成品率。


然而,鉭酸鋰屬于硬脆材料,鉭酸鋰拋光往往要耗費(fèi)大量時(shí)間,難度增加,如何高效完成CMP工藝,成為了棘手難題。


日前,博來納潤公司鉭酸鋰LTPOL-124、LTPOL-125A/B、LTPOL-126A/B三款拋光液通過客戶實(shí)測(cè)驗(yàn)證,正式問世。該產(chǎn)品線覆蓋堿性、中性、酸性各加工工藝的需求,且均具備優(yōu)異的去除速率、高儲(chǔ)存穩(wěn)定性和拋光后易清洗等優(yōu)點(diǎn)。這個(gè)系列的拋光液產(chǎn)品就像為鉭酸鋰加工量身定制的神奇鑰匙,有望開啟國產(chǎn)化拋光液的高效拋光新時(shí)代。


堿性拋光液LTPOL-124:引航拋光速率新高度


 

堿性拋光液LTPOL-124與競品液的性能比較,以及拋后粗糙度


當(dāng)1kg拋光液循環(huán)3個(gè)小時(shí),全程無需加液和調(diào)整pH,LTPOL-124相較競品速率提升10-20%。而且,無論在何種稀釋比的條件下,LTPOL-124均有著更高的去除速率,且保持著<0.2 nm的拋后粗糙度,這代表著極為優(yōu)異的超精密加工水平。


中性拋光液LTPOL-126A/B:比日本進(jìn)口產(chǎn)品具有更高的稀釋比,更具性價(jià)比


 

中性拋光液LTPOL-126A/B與日本競品液的性能比較,以及拋后粗糙度


同樣使用1kg拋光液循環(huán)拋光3小時(shí),中途不加液,不調(diào)整pH,LTPOL-126A/B相較競品顯示出更高的速率,且拋后粗糙度<0.2 nm。這款產(chǎn)品使用博來納潤自制硅溶膠,不僅超過了日本進(jìn)口產(chǎn)品的性價(jià)比,而且產(chǎn)品還不易結(jié)晶和劃傷,為國內(nèi)企業(yè)提供更優(yōu)質(zhì)、更經(jīng)濟(jì)的選擇。


酸性拋光液LTPOL-125A/B:高去除速率,有望重塑市場格局


 

酸性拋光液LTPOL-125A/B與傳統(tǒng)堿性配方競品的性能比較,以及拋后粗糙度


對(duì)于追求高去除速率的市場需求,LTPOL-125 A/B 無疑提供了一個(gè)很好的選擇。1kg拋光液循環(huán)拋光3個(gè)小時(shí),中途不加液、不調(diào)整pH的情況下,相較傳統(tǒng)堿性配方競品,LTPOL-125 A/B速率提升1.8-2倍,且循環(huán)3個(gè)小時(shí)后,速率衰減<15%,拋后粗糙度<0.25 nm,表現(xiàn)出色。


參考來源:

[1] 博來納潤官網(wǎng)

[2] 燕禾等,化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

[3] 嚴(yán)嘉勝等,硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展

[4] 夏琳,硅溶膠化學(xué)機(jī)械拋光液的研究


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林)

注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除!


推薦7
相關(guān)新聞:
網(wǎng)友評(píng)論:
0條評(píng)論/0人參與 網(wǎng)友評(píng)論

版權(quán)與免責(zé)聲明:

① 凡本網(wǎng)注明"來源:中國粉體網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于中國粉體網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:中國粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。

② 本網(wǎng)凡注明"來源:xxx(非本網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。

③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

粉體大數(shù)據(jù)研究
  • 即時(shí)排行
  • 周排行
  • 月度排行
圖片新聞