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山西爍科晶體與您相約江蘇!2025屆第三代半導體SiC晶體生長技術交流會


來源:中國粉體網(wǎng) 粉享匯   粉享匯

[導讀]  2025屆第三代半導體SiC晶體生長技術交流會,8月21日相約江蘇·蘇州

隨著科學技術的飛速發(fā)展,半導體材料的革新速度也進一步加快。當前,碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透,已成為全球半導體產業(yè)的前沿和制高點。同時,我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。         


要充分實現(xiàn)碳化硅功率器件優(yōu)異的性能,第一步是生長出高質量單晶。而碳化硅的本身特性決定了其單晶生長難度較大——不能采用目前半導體工業(yè)主流所采用的生長工藝較成熟的生長法——直拉法、降坩堝法等方法進行生長。在當前倡導節(jié)能減排的大趨勢下,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題,才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。


2025屆第三代半導體SiC晶體生長技術交流會組委會獲悉,本屆會議將于2025年8月21日江蘇蘇州舉辦。山西爍科晶體有限公司作為參展單位邀請您共同出席。




山西爍科晶體有限公司是國內從事第三代半導體材料碳化硅生產和研發(fā)的領軍企業(yè)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝,N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線。并在國內率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術攻關,一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術的長期封鎖,是目前國內率先實現(xiàn)碳化硅材料產業(yè)鏈供應鏈自主可控的碳化硅材料供應商。


產品介紹


1、碳化硅單晶生長爐



產品簡介


碳化硅單晶生長爐主要應用于生長6英寸N型及半絕緣碳化硅單晶襯底。碳化硅單晶具有高熱導率、高化學穩(wěn)定性、低熱膨脹、高飽和電子漂移率等優(yōu)點,在白光高效照明、電力輸送與轉換、耐高溫電力電子器件等民用領域應用廣泛,同時在雷達通訊、航空母艦、艦舶等軍事領域可提高軍事電子系統(tǒng)和武器裝備的性能,有著明確應用背景。


2、N型導電型碳化硅晶片



產品簡介


6英寸N型碳化硅襯底主要應用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機、光伏逆變、脈沖電源等領域,具有降低設備能量損耗、提升設備可靠性、縮小設備體積、提升設備性能等優(yōu)勢,在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。


6英寸N型碳化硅襯底主要應用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機、光伏逆變、脈沖電源等領域,具有降低設備能量損耗、提升設備可靠性、縮小設備體積、提升設備性能等優(yōu)勢,在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。


6英寸N型碳化硅襯底主要應用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機、光伏逆變、脈沖電源等領域,具有降低設備能量損耗、提升設備可靠性、縮小設備體積、提升設備性能等優(yōu)勢,在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。



3、莫桑原石



半絕緣碳化硅晶體無色透明,亮度、火彩以及光澤度參數(shù)性能指標均優(yōu)于鉆石,硬度僅次于鉆石,因此半絕緣型碳化硅晶體具有寶石飾品的屬性,可采用碳化硅晶體加工成寶石飾品 “莫桑鉆”。



會務組

聯(lián)系人:段經(jīng)理

電話:13810445572

郵箱:duanwanwan@cnpowder.com




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