中國粉體網(wǎng)訊  氮化鋁陶瓷材料以其優(yōu)越的性能而受到普遍關(guān)注。20世紀80年代，部分發(fā)達國家就開始對氮化鋁陶瓷基片進行研發(fā)。其中日本對于氮化鋁陶瓷基片的研發(fā)處于世界的前列。氮化鋁陶瓷材料熱導率理論值為320W/m·K，電絕緣性能好，機械強度高，介電常數(shù)及介質(zhì)損耗適中，材料熱導率受溫度影響小，材料無毒性，便于加工制造，是微電子及真空電子領(lǐng)域很有發(fā)展前途的一種新型導熱絕緣材料。不過，雖然氮化鋁陶瓷具有許多優(yōu)異的性能，但是其力學性能較差，如其抗彎強度只有300MPa。在復雜的力學服役環(huán)境下，氮化鋁基片易發(fā)生損壞，從而對半導體器件壽命造成影響，并增加使用成本。

半導體及電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作為功率半導體器件的關(guān)鍵封裝材料，其導熱性能、機械強度、可靠性和精密程度直接決定了終端產(chǎn)品的性能與壽命。針對材料研發(fā)、制備工藝、檢測技術(shù)、應用場景等核心議題，中國粉體網(wǎng)將于2025年7月29日在江蘇無錫舉辦2025高性能陶瓷基板關(guān)鍵材料技術(shù)大會。屆時，江蘇海古德半導體科技有限公司研發(fā)工程師姜益將作題為《高強度氮化鋁陶瓷基板制備與成型工藝研究方案》的報告，報告中將介紹江蘇海古德半導體科技公司成功開發(fā)的一種可穩(wěn)定制備抗彎強度≥500MPa的高可靠性氮化鋁陶瓷基板工藝，并通過晶界調(diào)控進一步突破至550MPa，滿足高功率電子器件對基板力學性能的極限需求。

專家簡介：

姜益，2018年畢業(yè)于江蘇海洋大學，從事高性能材料開發(fā)工作7年，從事高性能氮化鋁陶瓷基板開發(fā)工作3年。

參考來源：

李發(fā)，高導熱AlN陶瓷材料制造及其應用研究

張偉儒等，氮化硅：未來陶瓷基片材料的發(fā)展趨勢

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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