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上海比朗儀器制造與您相約江蘇!2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會


來源:中國粉體網(wǎng) 粉享匯   粉享匯

[導(dǎo)讀]  2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會,8月21日相約江蘇·蘇州

隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的革新速度也進一步加快。當(dāng)前,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域正快速滲透,已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。同時,我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域,碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。


近年來,我國在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進展,但與國際先進水平相比,在晶體生長技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題,才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。


在此背景下,中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會,大會將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關(guān)鍵原材料、生長設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。上海比朗儀器制造有限公司作為參展單位邀請您共同出席。



上海比朗儀器制造有限公司以“技術(shù)賦能科研,創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)”為使命,秉持“客戶之上、服務(wù)為本”的經(jīng)營理念。深耕冷凍干燥、噴霧干燥、光催化、高低溫溫度控制等領(lǐng)域。


我公司的產(chǎn)品先后在中科院、農(nóng)科院、醫(yī)科院等高等研究院所以及北京大學(xué)、上海交通大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)、香港中文大學(xué)、香港理工大學(xué)等大專院校的國家重點實驗室選用,并在上海張江藥谷、蘇州納米科技園、泰州醫(yī)藥高新技術(shù)園區(qū)等都有廣泛的應(yīng)用,并遠(yuǎn)銷歐美、日韓、中東、拉美等多個國家和地區(qū)。


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