中國粉體網(wǎng)訊 

華為海思入局SiC領(lǐng)域，推出兩款SiC器件

近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，首批推出兩款TO-247封裝1200V SiC單管，面相工業(yè)高溫、高壓場景場景。兩款產(chǎn)品具備優(yōu)良的導(dǎo)通和快速開關(guān)特性，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。

新增兩家12英寸SiC新玩家

7月23日，浙江晶越半導(dǎo)體有限公司宣布已成功研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，這標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。同日，山西天成半導(dǎo)體材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

天域半導(dǎo)體更新招股書！1-5月SiC營收2.57億

7月22日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司再次向香港聯(lián)合交易所提交上市申請，同時更新了招股說明書。招股書中更新公司營收情況，2025年前五個月天域半導(dǎo)體的營收約為2.57億元，其中外延片收入占各年度/期間總收入的87.4%。

兩家國際巨頭聯(lián)手碳化硅合作！

7月24日，安森美宣布其碳化硅功率器件EliteSiC將應(yīng)用于舍弗勒為某全球整車廠打造的插電式混合動力（PHEV）平臺。此次合作采用的是安森美最新一代基于溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET，安森美將為該平臺提供獨家器件供應(yīng)。

碳化硅領(lǐng)域重大并購

近59億，芯聯(lián)集成即將完成對于芯聯(lián)越州的100%控股，通過本次交易芯聯(lián)集成將重點支持SiCMOSFET、高壓模擬IC等更高技術(shù)產(chǎn)品和業(yè)務(wù)的發(fā)展。

爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目正式啟動

7月30日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項目在山西太原正式啟動。項目投產(chǎn)后，將新增100萬毫米碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，并快速實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化和12英寸碳化硅襯底的工程化應(yīng)用。

全球新增一座SiC新工廠

7月28日，美國Coherent越南工廠正式落成。這座投資1.27億美元的高科技制造工廠將主要生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃以及先進光電元件，廣泛應(yīng)用于智能手機、電動汽車等領(lǐng)域。

天岳先進SiC襯底產(chǎn)品供應(yīng)日本市場

7月29日，天岳先進宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應(yīng)碳化硅襯底材料。日本工業(yè)新聞報道指出，曾經(jīng)日本、歐洲的半導(dǎo)體廠家多采用中國以外的襯底材料，而如今既有價格優(yōu)勢又有質(zhì)量優(yōu)勢的中國襯底將進一步擴大市場占有率。

江蘇集芯首枚8英寸液相法碳化硅單晶研制成功

據(jù)徐州日報報道，近日，江蘇集芯先進材料有限公司成功出爐首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶。據(jù)了解，江蘇集芯在6/8英寸物理氣相傳輸法已實現(xiàn)量產(chǎn)的基礎(chǔ)上，僅用半年便完成液相法工藝從6英寸到8英寸的研發(fā)跨越。

投資300億 ！英飛凌建全球最大碳化硅半導(dǎo)體廠

近期，媒體報道英飛凌已經(jīng)落實在馬來西亞300億令吉（約合人民幣504.8億元）額外投資，在吉打居林高科技工業(yè)園建設(shè)全球最大8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠，為汽車、綠色工業(yè)電力和電源等領(lǐng)域提供助力。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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