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#NEWS超高分辨場(chǎng)發(fā)射電鏡發(fā)布

近日，國(guó)儀量子在2023全國(guó)電鏡年會(huì)期間發(fā)布了全新的超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X，分辨率達(dá)到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV，進(jìn)一步夯實(shí)了國(guó)產(chǎn)高端電鏡發(fā)展的基礎(chǔ)。

深度挖掘用戶需求 全新升級(jí)實(shí)現(xiàn)超強(qiáng)性能

國(guó)儀量子在服務(wù)客戶時(shí)發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡在拍攝一些特殊樣品時(shí)會(huì)出現(xiàn)成像質(zhì)量不佳的問(wèn)題。例如，納米材料的導(dǎo)電性較差，樣品的粒徑通常也非常小，觀測(cè)難度較高。但隨著科研水平不斷進(jìn)步，對(duì)材料的觀測(cè)尺度也將不斷縮小，觀測(cè)難度愈發(fā)提高。為解決這一難題，國(guó)儀量子顯微鏡研發(fā)團(tuán)隊(duì)在調(diào)研用戶需求后，基于深厚的技術(shù)儲(chǔ)備與產(chǎn)品工程化能力，推出了“挑戰(zhàn)極限”的超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X。

SEM5000X如何“挑戰(zhàn)極限”？

極限挑戰(zhàn)一：挑戰(zhàn)超高分辨率

SEM5000X在15 kV下分辨率優(yōu)于0.6 nm，1 kV下分辨率優(yōu)于1 nm，成功挑戰(zhàn)了熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的極限分辨率。

國(guó)儀量子對(duì)SEM5000X電子光學(xué)系統(tǒng)中的物鏡部分做了特殊的改進(jìn)優(yōu)化，電透鏡和磁透鏡的重合度進(jìn)一步提高，使得色差減小了12%、球差減小了20%，整體上提升了電鏡的分辨率。

極限挑戰(zhàn)二：不懼高難樣品

在SEM5000X產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，增加了樣品臺(tái)減速模塊，采用了高壓隧道和樣品臺(tái)減速的組合，實(shí)現(xiàn)雙減速技術(shù)，能夠挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場(chǎng)景。

極限挑戰(zhàn)三：適應(yīng)復(fù)雜環(huán)境

此外，我們自研了高精度的優(yōu)中心樣品臺(tái)，采用了超穩(wěn)定的機(jī)架，還額外設(shè)計(jì)了可屏蔽環(huán)境干擾的全包圍式屏蔽系統(tǒng)，使SEM5000X能夠輕松適應(yīng)各種復(fù)雜環(huán)境。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

SEM5000X

01

超高分辨率成像，達(dá)到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV

02

樣品臺(tái)減速和高壓隧道技術(shù)組合的雙減速技術(shù)，挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場(chǎng)景

03

高精度機(jī)械優(yōu)中心樣品臺(tái)、超穩(wěn)定性的機(jī)架減震設(shè)計(jì)，可搭配整體罩殼設(shè)計(jì)，極大減弱環(huán)境對(duì)極限分辨率的影響

04

最大支持8寸晶圓(最大直徑208 mm)的快速換樣倉(cāng)，滿足半導(dǎo)體和科研應(yīng)用需求

如果您需要一臺(tái)更高性能，更高分辨率的電鏡，那您一定不能錯(cuò)過(guò)超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X。

應(yīng)用案例展示

介孔二氧化硅/1 kV（Dul-Dec）/lnlens

芯片/5 kV/BSED-COMP

陽(yáng)極氧化鋁板/10 kV/Inlens

腎臟切片/5 kV/BSED-COMP

泡沫鎳/2 kV/ETD-SE

光刻膠/2 kV/ETD-SE

藍(lán)寶石襯底/5 kV/ETD-SE

磁性粉末/10 kV/Inlens

金顆粒/1 kV/Inlens

二氧化硅球/3 kV/ETD-SE

催化劑/1 kV/ETD-SE

波導(dǎo)/1 kV/ETD-SE