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通過吸附等溫線來分析介孔材料的孔徑分布時，總是有必要假設(shè)孔的形狀。使用BJH理論會假設(shè)孔的形狀為圓柱形，而使用INNES會假設(shè)孔的形狀為狹縫型。在INNES方法中，彎月面半徑的計算方式同BJH一樣，都是通過開爾文方程進行計算，并且校正了厚度層，孔徑計算公式見公式1。如圖1所示，當孔形狀為狹縫型時，在吸附過程中不會出現(xiàn)毛細冷凝現(xiàn)象，而發(fā)生在脫附曲線一側(cè)，所以有必要用脫附曲線來計算孔分布。

從SEM圖中可以看出，銨離子型ZSM-5是一種尺寸為200nm的多面體層狀瓷磚型團聚顆粒。目前已證實，通過535℃常壓下加熱3小時制備得到的酸型ZSM-5在顆粒層之間由狹縫型微孔結(jié)構(gòu)組成。圖2顯示了酸型ZSM-5在77.4K下的N2的脫附等溫線，回滯環(huán)在相對壓力P/P0=0.42處閉合證明了介孔的存在。并且，吸附等溫線也顯示出I型和IV型復合曲線，表明顆粒間存在微孔。

圖3顯示了INNES曲線，酸型ZSM-5的介孔分布中顯示峰值孔徑分布在2nm和5nm左右。除了一些特殊的低壓區(qū)滯后現(xiàn)象，在77.4K的N2吸附曲線中，無論孔徑大小，脫附曲線和吸附曲線會在P/P0=0.42處重疊(見圖2)。這是由于在吸附溫度下吸附的物理性質(zhì)引起的，如右下圖所示，由于孔隙中吸附相凝聚形成的氣穴現(xiàn)象造成。因此，當通過發(fā)生氣穴的脫附曲線分析孔徑分布時，在2-3nm處總會出現(xiàn)孔徑峰值，但這并不是材料的孔隙，實際上是一個假峰。所以此材料的峰值孔徑為5 nm。這個材料的微孔分析會在另外一個應用報告中描述（No.13）。