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品名：TaNiS5 晶體
制造方法：
化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
產(chǎn)品簡介：
| 晶體大小 | 3-10nm |
| 晶體種類 | Magnetic semiconductor |
| 純度 | >99.999% |
表征方法 | EDS，SEM，Raman |
晶體生長方式 | CVD化學(xué)氣相傳輸法 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。
參考文獻
1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614.
2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61.
3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113.
4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters44.2 (2019): 451-454.
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企業(yè)名稱
蘇州碳豐石墨烯科技有限公司企業(yè)類型
信用代碼
91320506MA1MKJC9XC法人代表
李洪峰注冊地址
蘇州吳中經(jīng)濟開發(fā)區(qū)吳中大道1368號527、528室成立日期
2016年05月10日注冊資本
1000萬元整有效期限
2016年05月10日至********
經(jīng)營范圍
研發(fā)、銷售:石墨烯材料、納米材料、新型碳材料、電子元器件、電子產(chǎn)品;新型納米材料的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù);白營和代理各類商品及技 術(shù)的進出口業(yè)務(wù)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門 批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)
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