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CMP拋光材料是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵耗材，全球市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)容+國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速，上游材料廠商直接受益。

　　1、晶圓關(guān)鍵耗材，占成本比重超80%

　　化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是通過(guò)化學(xué)試劑的化學(xué)腐蝕和納米磨粒的機(jī)械研磨技術(shù)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)晶圓表面的高度平坦化。隨著芯片制程迭代升級(jí)，CMP拋光次數(shù)成倍數(shù)增長(zhǎng)。根據(jù)杜邦數(shù)據(jù)，目前7nm以下邏輯芯片中CMP拋光步驟約三十步，先進(jìn)芯片可達(dá)四十二步。拋光液和拋光墊是CMP拋光工藝的核心耗材，分別占拋光材料成本比重的49%和33%。

　　2、市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)容，近5年復(fù)合增速達(dá)10%

　　研報(bào)指出，中國(guó)具備承接第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的三大條件，同時(shí)疊加晶圓廠大規(guī)模資本開(kāi)支帶來(lái)的旺盛需求以及芯片技術(shù)升級(jí)，CMP材料市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)容。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2014-2020年全球CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模15.7億-24.8億美元，2020年國(guó)內(nèi)CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模約為32億元，近五年復(fù)合增速維持在10%左右。

　　3、國(guó)產(chǎn)化加速，頭部公司直接受益

　　長(zhǎng)期以來(lái)拋光液市場(chǎng)被美國(guó)和日本企業(yè)所壟斷，卡博特、日本日立以及日本富士美（CR3）合計(jì)占拋光液市場(chǎng)超過(guò)60%市場(chǎng)份額。隨著近幾年以中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等為代表的國(guó)內(nèi)晶圓企業(yè)持續(xù)擴(kuò)建產(chǎn)能，上游核心材料的國(guó)產(chǎn)化配套勢(shì)迫在眉睫。我們認(rèn)為目前上游核心材料國(guó)產(chǎn)化率普遍偏低，受到近年來(lái)接二連三“斷供”事件影響，芯片產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)安全意識(shí)上升至全所未有的高度，上游材料廠商迎來(lái)國(guó)產(chǎn)替代良機(jī)。