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氧化鈹陶瓷具有高導(dǎo)熱率、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)、高絕緣性、低介電常數(shù)、低介電損耗以及良好的工藝適應(yīng)性等特點(diǎn)。在特種冶金、真空電子技術(shù)、核技術(shù)、微電子與光電子技術(shù)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,尤其是在大功率半導(dǎo)體器件、集成電路、微波電真空器件及核反應(yīng)堆中,氧化鈹陶瓷一直是制備高導(dǎo)熱元部件的主流陶瓷材料。
一、氧化鈹陶瓷的性能
BeO 晶體的晶格常數(shù)為 a=2.695?,c=4.390?,是堿土金屬氧化物中唯一的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)(Wurtzite)。由于 BeO 具有纖鋅礦型和強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),而且相對(duì)分子質(zhì)量很低,因此,BeO 具有極高的熱導(dǎo)率。在現(xiàn)今使用的陶瓷材料中,室溫下 BeO 的熱導(dǎo)率最高,比 Al2O3陶瓷高一個(gè)數(shù)量級(jí)。
通常情況下,BeO 陶瓷的熱導(dǎo)率主要取決于材料的純度和致密度,純度和致密度越高其導(dǎo)熱性能越好。純度為 99% 以上、致密度達(dá) 99% 以上的 BeO 陶瓷室溫?zé)釋?dǎo)率可達(dá) 310 W/(m·K),與金屬材料的熱導(dǎo)率十分相近。其禁帶寬度高達(dá) 10.6 eV,介電常數(shù)為 6.7,彈性模量為 350 GPa,抗彎強(qiáng)度為 200 MPa,具有良好的綜合性能。
BeO 存在一些不足:
(1) BeO 粉體具有毒性,人體大量吸入后將導(dǎo)致急性肺炎,長期吸入會(huì)引起慢性鈹肺病,因此在生產(chǎn)過程中要采用特殊防護(hù)措施;
(2) BeO 熔點(diǎn)為 2570±20℃,純 BeO 陶瓷的燒結(jié)溫度達(dá) 1900 ℃以上,使得其生產(chǎn)成本較高;
(3) 熱導(dǎo)率隨著溫度升高而降低,如在 0°C~ 600°C 溫度范圍內(nèi),BeO 陶瓷平均熱導(dǎo)率為 206.67 W/(m·K),但當(dāng)溫度升高到 800°C 時(shí),其熱導(dǎo)率降低為十分之一。
由于以上原因,BeO 的生產(chǎn)和推廣應(yīng)用受到限制。雖然氧化鈹是一種有毒物質(zhì),氧化鈹粉塵和蒸汽對(duì)人體健康有害,但是只要加強(qiáng)防護(hù),氧化鈹?shù)奈:κ强梢员苊獾?。并且氧化鈹陶瓷基板用于混合電路制作過程是安全的。某些大功率、高頻半導(dǎo)體器件以及航空電子設(shè)備和衛(wèi)星通訊中,為了追求高導(dǎo)熱和理想高頻特性,仍在采用 BeO 陶瓷基片。
早期氧化鈹陶瓷多用于高級(jí)耐火材料,而后則擴(kuò)展到原子能反應(yīng)堆中,目前應(yīng)用較多的是大功率電子器件,特別是半導(dǎo)體器件用熱沉材料,電阻基體、功率模塊和真空電子器件中行波管的夾持桿和輸出窗等。
1、大功率電子器件和集成電路
高的熱導(dǎo)率和低的介電常數(shù)是 BeO 陶瓷材料在電子技術(shù)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用重要原因。BeO 陶瓷目前已用于高性能、高功率微波封裝件、高頻電子晶體管封裝、高電路密度的多片組件。
BeO 陶瓷還廣泛用于寬帶大功率的電子真空器件中,如行波管的輸能窗、夾持桿和降壓收集極。低的介電常數(shù)和損耗有利于獲得很好的寬頻匹配特性,同時(shí)也可減少功率損失。高的導(dǎo)熱率可以將大功率器件中產(chǎn)生的熱量及時(shí)地傳導(dǎo)出去,從而能夠保證器件的穩(wěn)定性和可靠性。與 Al2O3 窗相比,BeO 陶瓷可以承受大得多的連續(xù)波輸出功率。例如:BeO 窗承受 263kW 的輸出功率沒有損壞,而 Al2O3 窗在 100kW 的輸出功率下即發(fā)生破裂。
2、核反應(yīng)堆
BeO的熱中子吸收截面為0.0092x105Pa,散射截面9.8x105Pa,慢化比0.0706,擴(kuò)散比0.0273,可用作原子反應(yīng)堆的中子減速劑和防輻射材料。此外,BeO陶瓷高溫輻照穩(wěn)定性比金屬鈹好,密度比金屬鈹大,高溫時(shí)有相當(dāng)高的強(qiáng)度和熱導(dǎo),而且,氧化鈹比金屬鈹價(jià)格便宜。這就使它更適于用作反應(yīng)堆中的反射體、減速劑和彌散相燃料基體。
3、耐火材料
氧化鈹陶瓷作為耐火材料可用于加熱元件的耐火支持棒,保護(hù)屏蔽、爐襯、熱偶管以及陰極、熱子加熱基板和涂層等。氧化鈹陶瓷作為高級(jí)耐火材料最突出的優(yōu)點(diǎn)在于抗熱震性優(yōu)良。
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