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碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)作為關鍵材料也開始廣為人知，但大多數人并不知道的是，最常見并廣泛用于耐火、超硬磨料、先進陶瓷等行業(yè)的其實是α相碳化硅，而它與真正用于半導體的低溫穩(wěn)定β相碳化硅相去甚遠。

β-SiC，屬立方晶系(金剛石晶型)，也就是立方碳化硅。它除了在第三代半導體產業(yè)中用于制備碳化硅晶圓，還由于具備很高的化學穩(wěn)定性、高硬度、高熱導率、低熱脹系數、寬能帶隙、高電子漂移速度、高電子遷移率、特殊的電阻溫度特性等，也被廣泛應用于精密加工技術、軍工、航空航天、高級耐火材料、特種陶瓷材料、高級磨削材料和增強材料等領域，因此相比α-SiC的應用范圍和應用能力大很多，比如在拋光研磨領域的應用，β-SiC銳利的棱角可以提升拋光效率;在高端特種陶瓷的制備領域，添加β-SiC可以提升陶瓷的燒結活性。

立方碳化硅新材料由西安博爾新材料有限責任公司(下稱博爾新材料)聯(lián)合西安科技大學、陜西省硅鎂碳微納米材料工程技術研究中心，歷經26年時間，成功研發(fā)并生產。目前國內市場占有率95%以上，國際市場占有率50%以上，全球僅有日本、德國和美國的4家公司可小批量生產，因產品稀缺性和高技術壁壘以及保密性，市場投放量很小，這更吸引了美國、韓國等國家客戶紛至沓來。

立方SiC微粉

這款產品純度高、自然堆積密度高、粒度分布窄，基本粒含量在60～80%，用于精磨拋光、制造高級油石、精細研磨/拋光液，替代金剛石、B4C、AlN、CBN等。

立方SiC晶須

半導體制造用高純超細立方SiC微粉

這款產品由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優(yōu)異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在軍工、航天、航空、電子行業(yè)等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅，成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。

截至目前，公司在西安國家航空高技術產業(yè)基地已建成年產500T生產能力的產業(yè)化示范生產線，生產技術國內首創(chuàng)、國際領先、成熟可靠。三年多來，公司已向國內外先進制造領域提供細分市場產品八大類約200個品種，尤以半導體芯片基材和超精細磨料磨具材料的巨大應用潛力在國內國際產生了很大影響。

西安博爾新材料有限責任公司是一家專門從事高品質碳化硅(SiC)微粉和晶須及其下游制品等研發(fā)、生產、銷售的國家級高新技術企業(yè)，自主發(fā)明實現工業(yè)化生產立方碳化硅(β-SiC)微粉和晶須的專業(yè)企業(yè)?？偼顿Y1.86億元，生產的立方碳化硅(β-SiC)等產品質量達到先進水平，其中主營產品立方碳化硅經陜西省工信廳及國家工信部批準被納入重點新材料，公司的SiC微粉在精細分級和表面改性處理等方面也都處于國內先進水平。

參考資料:企業(yè)官網