北京中科微納精密儀器有限公司
已認(rèn)證
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1、在樣品斷電的狀態(tài)下,先將溫度下降到-50°C,保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測試,非常重要,因?yàn)橥姞顟B(tài)下,芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度,所以,在通電狀態(tài)下,通常比較容易通過低溫測試,必須先將其“凍透”,再次通電進(jìn)行測
2、開機(jī),對(duì)樣品進(jìn)行性能測試,對(duì)比性能與常溫相比是否正常。
3、進(jìn)行老化測試,觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。
4、升溫到+90°C,保持4個(gè)小時(shí),與低溫測試相反,升溫過程不斷電,保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),4個(gè)小時(shí)后,執(zhí)行2、3、4測試步驟。
5、高溫和低溫測試分別重復(fù)10次。
如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài),則視為測試失敗。
高溫環(huán)境對(duì)設(shè)備的主要影響有:
1. 填充物和密封條溶化或融化;
2. 潤滑劑粘度降低,揮發(fā)加速,潤滑作用減?。?/span>
3. 電子電路穩(wěn)定性下降,絕緣損壞;
4. 加速高分子材料和絕緣材料老化,包括氧化、開裂、化學(xué)反應(yīng)等;
5. 材料膨脹造成機(jī)械應(yīng)力加大或磨損加大。
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