編號:NMJS03305
篇名:常壓下用金屬有機化學氣相沉積法在HP40鋼表面制備納米氧化鋁薄膜及表征
作者:黃志榮; 李攀瑜;
關鍵詞:金屬有機化學氣相沉積法; 氧化鋁; 沉積速率; 納米薄膜;
機構: 華東理工大學機械與動力工程學院;
摘要: 常壓下用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD),以仲丁醇鋁(ATSB)為前驅體、氮氣為載氣在HP40鋼表面制備了納米氧化鋁薄膜;用光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡及能譜儀、X射線衍射儀、原子力顯微鏡等研究了沉積溫度等參數(shù)對氧化鋁薄膜沉積速率的影響,并對其形貌進行了觀察。結果表明:隨著沉積溫度從503K升高到713K,薄膜沉積速率從0.1mg·cm-2·h-1增加到0.82mg·cm-2·h-1;當沉積溫度在593~653K范圍內(nèi),可獲得晶粒尺寸為10~15nm的納米氧化鋁薄膜;反應的表觀活化能隨氮氣與ATSB蒸氣混合氣流速增加而降低,不同的混合氣流速有不同的反應級數(shù),ATSB的反應級為0.7±0.02。