編號(hào)：FTJS03425
篇名：氧化硅緩沖層對(duì)于退火形成鍺量子點(diǎn)的作用研究
作者：張磊； 葉輝； 皇甫幼睿； 劉旭；
關(guān)鍵詞：鍺量子點(diǎn)； 二氧化硅； 退火；
機(jī)構(gòu)： 浙江大學(xué)現(xiàn)代光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 在化學(xué)氧化得到的二氧化硅薄層覆蓋的硅襯底上,室溫淀積鍺膜并進(jìn)行后期退火處理.實(shí)驗(yàn)表明,不同于傳統(tǒng)退火過(guò)程形成大島,通過(guò)一定工藝的控制可以獲得高密度(～1011cm-2)的均勻鍺量子點(diǎn).研究了后期退火溫度對(duì)量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)影響的局部反常規(guī)律并進(jìn)行了原因分析.利用拉曼和熒光光譜研究了其應(yīng)力和發(fā)光特性,發(fā)現(xiàn)在可見(jiàn)(500nm)和近紅外(1350nm)的兩個(gè)光致熒光峰出現(xiàn).
