編號:CPJS01591
篇名:導(dǎo)電硅藻土粉體制備及性能研究
作者:杜玉成; 顏晶; 孟琪; 李揚;
關(guān)鍵詞:硅藻土; 化學(xué)共沉淀; 導(dǎo)電性能;
機(jī)構(gòu): 北京工業(yè)大學(xué)新型功能材料教育部重點實驗室;
摘要: 采用化學(xué)共沉淀法制備硅藻土表面包覆銻摻雜二氧化錫導(dǎo)電粉體,并對制備工藝條件進(jìn)行詳細(xì)研究;采用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡對樣品進(jìn)行表征,采用四探針儀測試樣品導(dǎo)電性能。結(jié)果表明:最佳的制備工藝條件為:溶液溫度40℃、反應(yīng)時間1 h、pH為1、Sn4+與Sb3+的物質(zhì)的量比為8∶1、包覆率為38%、700℃下煅燒1 h。硅藻土表面形成厚度為30 nm左右的金紅石結(jié)構(gòu)的均勻包覆層,樣品體積電阻率最低可達(dá)18Ω.cm。