編號：NMJS03365
篇名：鈀金屬吸附對半導體性碳納米管電輸運的影響
作者：趙華波； 王亮； 張朝暉；
關(guān)鍵詞：單壁碳納米管； 鈀納米顆粒； 導電原子力顯微鏡； 第一性原理計算；
機構(gòu)： 北京大學物理學院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室；
摘要： 利用物理蒸發(fā)技術(shù),在半導體性的碳納米管上沉積鈀金屬,利用導電原子力顯微鏡檢測鈀吸附對碳納米管電輸運的影響.結(jié)果表明:沉積的鈀在碳納米管上形成納米顆粒,隨著鈀顆粒密度的增加,半導體性碳納米管逐漸向金屬性轉(zhuǎn)變.利用第一性原理計算了吸附有鈀原子的半導體性單壁碳納米管的能帶結(jié)構(gòu).研究發(fā)現(xiàn),鈀的覆蓋率越高,其禁帶寬度越窄,直至為零,定性說明了實驗結(jié)果的合理性.
