編號：NMJS03375
篇名：多孔陽極氧化鋁模板法交流電沉積單晶鎳納米線陣列
作者：袁新國； 彭喬；
關鍵詞：交流電沉積； 鎳納米線； 單晶鎳； 多孔陽極氧化鋁模板；
機構： 大連理工大學化工學院；
摘要： 一維納米材料在光學、電學、磁學等領域有著廣闊的應用前景。采用二次陽極氧化法,結合逐級降壓法制備了多孔陽極氧化鋁(AAO)模板,然后在其上交流電沉積了單晶鎳納米線陣列。利用SEM,XRD,TEM等對鎳納米線陣列的形貌和結構進行了表征,探討了沉積效果與沉積電流密度-時間曲線和穩(wěn)定沉積電流密度大小之間的關系。結果表明:沉積電流-時間曲線為V形時,電流先降后升,穩(wěn)定沉積電流密度較大,無法獲得鎳納米線;曲線為典型的L形、穩(wěn)定沉積電流密度為2 mA/cm2時,鎳沉積效果很好,鎳納米線排列整齊、粗細均勻、直徑與AAO模板孔徑相同,并沿Ni(111)晶面擇優(yōu)生長。本法適合于磁性納米件和大規(guī)模集成電路的制造。
