編號：NMJS03387
篇名：準一維GaN納米線中類氫雜質(zhì)態(tài)光學特性
作者：張立；
關鍵詞：GaN納米線； 結合能； 變分方法； 雜質(zhì)態(tài)；
機構： 廣州番禺職業(yè)技術學院電子與機械系；
摘要： 考慮量子結構的各向異性,基于雙參數(shù)變分方法理論分析了準一維GaN-基納米線結構的類氫雜質(zhì)態(tài)光學特性。數(shù)值結果表明,GaN納米線體系的雜質(zhì)結合能達到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子線中相應值的2.5倍。這一結果與最近GaN納米線雜質(zhì)態(tài)的實驗測量相當符合。計算發(fā)現(xiàn),采用雙參數(shù)變分波函數(shù)描述準一維GaN納米線體系各向異性是有必要的,尤其是當納米線尺寸較小時。討論了雜質(zhì)的位置對結合能、雜質(zhì)基態(tài)能量以及變分參數(shù)的影響,并對這些觀察背后的深刻物理現(xiàn)象進行了分析。
