編號：NMJS03443
篇名：單晶硅表面電化學(xué)方法制備定向硅納米線陣列的研究
作者：張大蔚； 李夕金；
關(guān)鍵詞：硅； 硅納米線； 電化學(xué)； 催化劑；
機(jī)構(gòu)： 河南大學(xué)物理與電子學(xué)院；
摘要： 采用電化學(xué)方法在近室溫條件下快速制備硅納米線陣列.實(shí)驗(yàn)選用HF-AgNO3混合溶液,在單晶硅表面沉積生長一層薄的金屬銀的催化劑薄膜.然后在HF-Fe(NO3)3混合溶液中,利用銀為催化劑,在硅片表面發(fā)生氧化還原反應(yīng),通過選擇性腐蝕,制備出大面積硅納米線陣列;利用掃描電鏡分析了制備溫度、時(shí)間及AgNO3的濃度對催化劑形狀、大小的影響,并進(jìn)一步分析了其對納米線的定向特征、長度及填充率的影響.在本實(shí)驗(yàn)條件下,銀催化劑的顆粒直徑影響納米線的生長,過大或過小的催化劑都不利于納米線的制備.同時(shí),納米線的長度隨著刻蝕生長時(shí)間的延長而增加.
