編號(hào)：NMJS03500
篇名：利用SiO2的表面化學(xué)修飾提高納米SnO2的熱穩(wěn)定性
作者：詹自力； 司莉粉； 李廣偉； 郭雪原； 周志玉
關(guān)鍵詞：SnO2； 表面修飾； 熱穩(wěn)定性； 晶界移動(dòng)； 氣敏材料
機(jī)構(gòu)： 鄭州大學(xué)化工與能源學(xué)院
摘要： 以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)為表面修飾劑,利用乙氧基與SnO2表面羥基之間的化學(xué)反應(yīng),將SiO2化學(xué)接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒熱生長(zhǎng)。采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技術(shù)對(duì)改性后納米SnO2進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。結(jié)果表明,SiO2通過Sn—O—Si化學(xué)鍵與SnO2相連接,SiO2被高度分散于SnO2表面。經(jīng)1000℃高溫煅燒后,SnO2平均粒徑改性前后分別為95和10nm。SiO2作為第二相,阻礙了晶界的移動(dòng),增加了晶粒生長(zhǎng)活化能,從而有效地限制了晶粒高溫生長(zhǎng),提高了納米SnO2的熱穩(wěn)定性。 更多還原
