編號：FTJS03576
篇名：Si面6H-SiC襯底外延石墨烯的異常硝酸摻雜效應(yīng)
作者：郝昕； 王澤高； 劉競博； 田洪軍；
關(guān)鍵詞：熱裂解SiC； 外延石墨烯； 硝酸摻雜； 方阻； 電荷轉(zhuǎn)移； 氧脫附；
機構(gòu)： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室；
摘要： 比較研究了Si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸摻雜效應(yīng)。結(jié)果表明對C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯,硝酸摻雜顯現(xiàn)出p型摻雜特性使其方阻降低,這是由于硝酸與石墨烯氧化還原反應(yīng)過程中電荷轉(zhuǎn)移所導(dǎo)致;而對于Si面SiC外延石墨烯,硝酸摻雜則顯現(xiàn)出n型摻雜特性使其方阻增大,這種異常摻雜效應(yīng)是由于硝酸與石墨烯發(fā)生氧化還原反應(yīng)釋放出的熱量使懸掛鍵吸附的氧脫附,增強了石墨烯與襯底之間的耦合效應(yīng),從而使得電子濃度增大,電子的遷移率顯著減小。
