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鉭摻雜二氧化鈦薄膜的光電性能研究

編號:CPJS01699

篇名:鉭摻雜二氧化鈦薄膜的光電性能研究

作者:薛將; 潘風(fēng)明; 裴煜;

關(guān)鍵詞:Ta摻雜TiO2; 脈沖激光沉積法; 薄膜; 導(dǎo)電機(jī)理;

機(jī)構(gòu): 南京航空航天大學(xué)理學(xué)院;

摘要: 采用脈沖激光沉積法(PLD),以石英玻璃為襯底制備了鉭摻雜TiO2薄膜并研究了薄膜樣品的光電性質(zhì).沉積氧氣分氣壓從0.3Pa變化到0.7Pa時薄膜樣品的帯隙變化范圍是3.26eV到3.49eV.通過測量電阻率隨溫度的變化關(guān)系確定了薄膜內(nèi)部的主要導(dǎo)電機(jī)理.在150K到210K溫度范圍內(nèi),熱激發(fā)導(dǎo)電機(jī)理是主要的導(dǎo)電機(jī)理;而在10K到150K范圍內(nèi);電導(dǎo)率隨溫度的變化復(fù)合Mott的多級變程跳躍模型(VRH);在210K到300K范圍內(nèi),電阻率和exp(b/T)1/2呈正比關(guān)系.

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