編號：NMJS03596
篇名：硫化鉍準(zhǔn)納米帶陣列的可控合成及光學(xué)性質(zhì)
作者：唐春娟； 戴建廣； 張永勝； 李廣海； 石冬梅；
關(guān)鍵詞：硫化鉍； 準(zhǔn)納米帶陣列； 光學(xué)性質(zhì)； 水熱法；
機構(gòu)： 洛陽理工學(xué)院數(shù)理部； 中國科學(xué)院固體物理研究所納米材料與結(jié)構(gòu)研究室； 洛陽理工學(xué)院材料科學(xué)與工程系；
摘要： 以五水硝酸鉍和硫脲為原料,采用籽晶技術(shù)和水熱相結(jié)合的方法,在涂籽晶層的硅片上制備了大面積Bi2S3準(zhǔn)納米帶陣列。利用X射線衍射、場發(fā)射掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡和電子衍射等對產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征。結(jié)果表明,合成產(chǎn)物為純正交相的純Bi2S3,納米帶陣列中的納米帶寬約為130nm,長約2μm,并且沿[130]方向優(yōu)先生長。使用涂有Bi2S3納米籽晶的襯底是生長大規(guī)模準(zhǔn)納米帶陣列的必要條件,襯底在高壓釜中放置高度影響產(chǎn)物的形貌。Bi2S3準(zhǔn)納米帶陣列的形成機理與自組裝生長和Bi2S3的各向異性生長相關(guān)。產(chǎn)物的熒光光譜為從650nm到800nm的紅光區(qū)域?qū)挵l(fā)光帶,是由Bi2S3準(zhǔn)納米帶陣列結(jié)構(gòu)中的復(fù)雜缺陷導(dǎo)致的。
