編號：NMJS03600
篇名：低溫下單根ZnO納米帶電學性質(zhì)的研究
作者：李銘杰； 高紅； 李江祿； 溫靜； 李凱； 張偉光
關(guān)鍵詞：ZnO； 納米帶； 低溫； 輸運機制；
機構(gòu)： 哈爾濱師范大學物理與電子工程學院； 光電帶隙材料省部共建教育部重點實驗室
摘要： 用化學氣相沉積的方法在硅基底上合成了寬1μm左右、長數(shù)十微米的ZnO納米帶.采用微柵模板法得到單根ZnO納米帶半導(dǎo)體器件,由I-V特性曲線測得室溫下ZnO納米帶電阻約3M,電阻率約0.4·cm.研究了在20—280K溫度范圍內(nèi)單根ZnO納米帶電阻隨溫度的變化.結(jié)果表明:在不同溫度區(qū)間內(nèi)電阻隨溫度變化趨勢明顯不同,存在兩種不同的輸運機制.在130—280K較高的溫度范圍內(nèi),單根ZnO納米帶電子輸運機制符合熱激活輸運機制,隨著溫度繼續(xù)降低(<130K),近鄰跳躍傳導(dǎo)為主導(dǎo)輸運機制.
