編號(hào)：NMJS03636
篇名：直接沉淀法制備納米CuO及室溫脫除H2S性能的研究
作者：李 芬1； 張彥平2； 王 悅1； 王艷紅1； 楊勝宇1； 雷 濤1
關(guān)鍵詞：直接沉淀法； 納米CuO； 室溫脫硫；
機(jī)構(gòu)： (1.哈爾濱理工大學(xué) 化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院,綠色化工技術(shù)黑龍江省高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,黑龍江 哈爾濱150040； 2.河北工業(yè)大學(xué) 土木工程學(xué)院,天津300401)
摘要： 考察了納米氧化銅直接沉淀法制備工藝對(duì)其脫硫活性和晶粒尺寸的影響,并利用XRD和TEM對(duì)脫硫劑的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,所制備的納米CuO為單斜晶系結(jié)構(gòu)。原料濃度過(guò)低、沉淀劑用量小均不利于生成小尺度的納米CuO。但加熱條件下,前驅(qū)體有分解形成氧化銅趨勢(shì),晶粒尺寸略有增大;當(dāng)n(OH- )∶n(Cu2+ )=2.5∶1,原料濃度0.4mol/L,攪拌溫度為25℃,300℃焙燒時(shí)獲得的納米CuO脫硫活性最好,其穿透時(shí)間可達(dá)640min,此時(shí)納米CuO晶粒尺寸為11.8nm,顆粒的分散性較好;納米CuO的脫硫活性受其晶粒大小的影響,但只有晶粒尺寸相差較大時(shí),兩者之間才呈現(xiàn)出明顯的相關(guān)性。
