編號(hào)：NMJS03766
篇名：模板法交流沉積金納米線的影響因素
作者：吳曌； 張?jiān)仆?杜凱；
關(guān)鍵詞：多孔氧化鋁模板； 阻擋層； 交流電沉積； 金納米線；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心；
摘要： 使用交流電沉積在多孔氧化鋁模板中制備金納米線,對(duì)交流電沉積時(shí)阻擋層厚度、交流電壓、交流頻率等因素進(jìn)行了系統(tǒng)的研究和探討。使用交流電沉積制備出了直徑30 nm、長(zhǎng)度2.1μm的形貌完好、長(zhǎng)度均一的金納米陣列。結(jié)果表明模板的阻擋層厚度能夠顯著影響金屬的沉積電位,是保證沉積順利進(jìn)行的重要因素。通過(guò)記錄、分析不同條件下交流沉積過(guò)程中時(shí)間-電流曲線來(lái)對(duì)交流沉積過(guò)程進(jìn)行深入研究并提出相應(yīng)機(jī)理。發(fā)現(xiàn)同頻率下平臺(tái)電流值不變,納米線的長(zhǎng)度與交流電壓大小成正比,而同電壓下沉積的平臺(tái)電流與交流電頻率成正比,這些都與阻擋層的半導(dǎo)體特性有關(guān)。
