編號(hào)：NMJS03900
篇名：石墨烯納米帶場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)優(yōu)化
作者：趙磊； 趙柏衡； 常勝； 王豪； 黃啟�。�
關(guān)鍵詞：石墨烯納米帶場(chǎng)效應(yīng)管(GNRFET)； 結(jié)構(gòu)優(yōu)化； 摻雜； 開關(guān)電流比； 亞閾值擺幅；
機(jī)構(gòu)： 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院； 武漢大學(xué)微電子與信息技術(shù)研究院；
摘要： 石墨烯納米帶場(chǎng)效應(yīng)管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作為后硅基時(shí)代集成電路基礎(chǔ)器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者受到廣泛關(guān)注。以數(shù)字電路應(yīng)用為指向,基于密度泛函理論的計(jì)算仿真,對(duì)GNRFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化進(jìn)行了研究。分析了寬度N=3m和N=3m+1(m為正整數(shù))兩系列半導(dǎo)體型石墨烯納米帶的傳輸特性,結(jié)果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯納米帶(armchair GNR,AGNR)更適合作為晶體管的溝道。研究了摻雜對(duì)GNRFET性能的影響,得到明顯n型特性,并確定了摻雜位置;探討了溝道長(zhǎng)度對(duì)器件的影響,得到了較大的開關(guān)電流比(約1 700)和較小的亞閾值擺幅(30～40 mV/decade)。這些優(yōu)化手段有效提高了GNRFET的性能,可指導(dǎo)其設(shè)計(jì)和制備。
