編號(hào)：NMJS03942
篇名：納米孔金膜電極的制備及應(yīng)用
作者：朱曉婷； 張璐佳； 陶紅； 狄俊偉；
關(guān)鍵詞：納米孔金； 電化學(xué)沉積； L-半胱胺酸； Cu2+；
機(jī)構(gòu)： 蘇州大學(xué)材料與化學(xué)化工學(xué)部； 蘇州市健康化學(xué)與分子診斷重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 在氨性溶液中,以HAuCl4和AgNO3為原料,采用電化學(xué)還原法直接在氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃基底上沉積金銀合金膜,然后用HClO4溶液去合金化,較活潑的金屬銀溶解,從而制備了高表面積的納米孔金膜修飾電極,并對(duì)修飾電極進(jìn)行了表征。納米孔金膜的表面積可通過(guò)調(diào)控電解的條件來(lái)控制,所制備的納米孔金膜電極可采用L-半胱胺酸自組裝法進(jìn)一步功能化,并應(yīng)用于高靈敏和高選擇性測(cè)定Cu2+。在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下,Cu2+的吸附時(shí)間為5min,采用線性掃描伏安法測(cè)定Cu2+濃度的線性范圍為0.05～4.0μmol/L,檢出限為0.03μmol/L,對(duì)1μmol/LCu2+平行測(cè)定9次,其相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為4.3%。本方法用于環(huán)境水樣中Cu2+的測(cè)定,結(jié)果令人滿意。
