編號：NMJS03954
篇名：硫化氧化兩步法提高(110)取向ZnO納米片比表面及其光電極應(yīng)用
作者：魏玉龍； 包春雄； 高皓； 黃歡； 于濤； 鄒志剛
關(guān)鍵詞：ZnO納米片； 硫化-氧化兩步法； 比表面積； 光電極
機構(gòu)： 南京大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點實驗室； 南京大學(xué)物理學(xué)院環(huán)境材料與再生能源研究中心； 南京大學(xué)材料科學(xué)與工程系
摘要： 以硫代乙酰胺為硫源,通過一種較溫和的溶劑熱法先將生長于氟摻雜的SnO2（FTO）導(dǎo)電玻璃上的ZnO納米片硫化,再將其在空氣中高溫焙燒氧化,利用ZnO/ZnS晶格的膨脹收縮效應(yīng)使ZnO納米片表面粗糙化,達到提高其比表面積的目的.系統(tǒng)研究了該硫化氧化兩步法中ZnO納米片、硫化后的ZnS納米片、硫化氧化后的ZnO納米片薄膜的形貌、物相、比表面積及孔徑分布的變化.并將硫化氧化前后兩種ZnO納米片陣列薄膜制成染料敏化太陽電池的光電極,分別對電池的電流密度-電壓（J V）特性進行了表征.實驗結(jié)果表明,經(jīng)過硫化氧化后的ZnO納米片的比表面積大約是未經(jīng)該處理的ZnO納米片的2倍,同時前者的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率（IPCE）相對于后者提高33%.
