編號：NMJS03969
篇名：金納米線陣列的制備及其光學(xué)性能研究
作者：陳林； 李趙枝； 李岳彬； 周迪； 顧豪爽
關(guān)鍵詞：金納米線陣列； 氧化鋁； 脈沖直流電沉積； 紫外光譜
機(jī)構(gòu)： 湖北大學(xué)物理學(xué)與電子技術(shù)學(xué)院,鐵電壓電材料與器件湖北省重點實驗室(湖北大學(xué))
摘要： 采用二次陽極氧化法制備了高度有序的多孔氧化鋁模板,并基于該氧化鋁模板,采用脈沖直流電化學(xué)沉積的方法制備了金納米線陣列.利用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和X線衍射儀(XRD)對所制備的金納米線的形貌及晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析.結(jié)果表明:不同的沉積電壓下制備的金納米線具有不同的生長取向性,當(dāng)沉積電壓為3V時制備出的金納米線沿[200]方向具有明顯的生長取向性.利用紫外-可見光譜(UV-Vis)對金納米線陣列光學(xué)性能進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)金納米線的等離子體共振吸收峰隨著沉積電壓的增大先藍(lán)移而后發(fā)生紅移.
