編號：NMJS04061
篇名：更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為
作者：常竹； 馬嘯華
關(guān)鍵詞：單壁碳納米管； 更昔洛韋； 修飾電極； 伏安測定
機(jī)構(gòu)： 商丘師范學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院
摘要： 運(yùn)用循環(huán)伏安法研究了更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為,提出了一種簡便、準(zhǔn)確、靈敏的檢測藥物更昔洛韋的電化學(xué)分析方法.在pH 4.0的0.04 M B-R(磷酸+冰醋酸+硼酸)緩沖溶液中,更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上于1.08 V電位處有一峰形很好的氧化峰.與裸玻碳電極相比,更昔洛韋在單壁碳納米管修飾電極上的電位負(fù)移了近30 mV,峰電流增加了近15倍,表明該修飾電極對更昔洛韋有較強(qiáng)的電催化作用.在最佳的試驗(yàn)條件下,氧化峰電流與更昔洛韋在3.5×10-7～1.2×10-5M濃度范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系,檢出限為1.8×10-8M.該方法可用于藥劑中更昔洛韋的分析.
